"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квазилокальные примесные состояния в одноосно-сжатом p-Ge
Абрамов А.А.1, Тулупенко В.Н.1, Фирсов Д.А.2
1Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Теоретически исследованы основные характеристики квазилокальных состояний, возникающих на мелком примесном центре (с экранированным кулоновским потенциалом) в одноосно-сжатом p-Ge. Вычислены зависимости положения и ширины квазилокальных примесных состояний от величины давления. Результаты численных расчетов представлены для примеси Ga.
  1. И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 47, 133 (1988)
  2. В.М. Бондарь, Л.Е. Воробьев, А.Т. Далакян, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов. Письма ЖЭТФ, 70, 257 (1999)
  3. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис, Ш.Дж. Томас, К.Л. Ванг. В сб.: Материалы совещания "Нанофотоника" (Н. Новгород, ИФМ РАН, 1999) с. 56
  4. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
  5. А.Т. Далакян, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов, В.М. Бондарь. Письма ЖЭТФ, 69, 638 (1999)
  6. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115, 89 (1999)
  7. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  8. Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. ФТТ, 32, 86 (1990)
  9. М.А. Одноблюдов, А.А. Пахомов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 31, 1180 (1997)
  10. А.А. Абрамов, Ф.Т. Васько, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов. ФТП, 33, 691 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.