Квазилокальные примесные состояния в одноосно-сжатом p-Ge
Абрамов А.А.1, Тулупенко В.Н.1, Фирсов Д.А.2
1Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Теоретически исследованы основные характеристики квазилокальных состояний, возникающих на мелком примесном центре (с экранированным кулоновским потенциалом) в одноосно-сжатом p-Ge. Вычислены зависимости положения и ширины квазилокальных примесных состояний от величины давления. Результаты численных расчетов представлены для примеси Ga.
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 47, 133 (1988)
- В.М. Бондарь, Л.Е. Воробьев, А.Т. Далакян, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов. Письма ЖЭТФ, 70, 257 (1999)
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис, Ш.Дж. Томас, К.Л. Ванг. В сб.: Материалы совещания "Нанофотоника" (Н. Новгород, ИФМ РАН, 1999) с. 56
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма ЖЭТФ, 59, 455 (1994)
- А.Т. Далакян, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов, В.М. Бондарь. Письма ЖЭТФ, 69, 638 (1999)
- И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ, 115, 89 (1999)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
- Е.В. Баханова, Ф.Т. Васько. ФТТ, 32, 86 (1990)
- М.А. Одноблюдов, А.А. Пахомов, В.М. Чистяков, И.Н. Яссиевич. ФТП, 31, 1180 (1997)
- А.А. Абрамов, Ф.Т. Васько, В.Н. Тулупенко, Д.А. Фирсов. ФТП, 33, 691 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук