"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование фотолюминесценции пленок SiOxNy, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического давления
Тысченко И.Е.1, Журавлев К.С.1, Вандышев Е.Н.1, Мисюк А.2, Янков Р.А.3, Реболе Л.4, Скорупа В.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт электронной технологии, 02-668 Варшава, Польша
3Центр пленочных технологий, ТЦО Райнбрайтбах, Райнбрайтбах, Германия
4Институт ионно-лучевой физики и материаловедения, Исследовательский центр Росседорф,, Дрезден, Германия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Впервые исследовано влияние гидростатического давления в процессе отжига на фотолюминесценцию осажденных на кремнии пленок SiOxNy (x=0.25, y=1), имплантированных ионами Ge+. Показано, что гидростатическое сжатие приводит к 10-кратному усилению интенсивности фотолюминесценции имплантированных пленок SiOxNy по сравнению с соответствующими отжигами при атмосферном давлении. Наблюдаемый рост интенсивности фотолюминесценции объясняется ускоренным образованием центров излучательной рекомбинации в областях метастабильных фаз имплантированного оксинитрида кремния. Природа этих центров предположительно связывается с центрами = Si-Si = и комплексами атомов Ge (типа = Si- Ge и = Ge- Ge =).
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh. J. Appl. Phys., 75, 7779 (1994)
  3. H.A. Atwater, K.V. Shcheglow, S.S. Wong, K.J. Vahala, R.C. Flagan, M.L. Brongersma, A. Polman. Mater. Res. Proc., 321, 363 (1994)
  4. W. Skorupa, R.A. Yankov. I.E. Tyschenko, H. Frob, T. Bohme, K. Leo. Appl. Phys. Lett., 68, 2410 (1996)
  5. L.-S. Liao, X.-M. Bao, N.-Sh. Li, X.-Q. Zheng, N.-B. Min. J. Luminesc., 68, 199 (1996)
  6. Нитрид кремния в электронике, под ред. А.В. Ржанова (Новосибирск, Наука, 1982) с. 198
  7. M.L. Green, D. Brasen, L.C. Feldman, E. Garfunkel, E.P. Gusev, T. Gustafsson, W.N. Lennard, H.C. Lu, T. Sorbsch. NATO Advanc. Res. Workshop Proc. (Kluwer Academic Publishers, 1997) p. 335
  8. П.А. Пундур, Ю.Г. Шевалгин. АН ЛатвССР, 26, 58 (1985)
  9. V.A. Gritsenko, Yu.G. Shavalgin, P.A. Pundur, H. Wong, W.M. Lau. Microelectron. Reliab., 39, 715 (1999)
  10. L.S. Liao, Z.H. Xiong, X. Zhou, X.B. Liu, X.Y. Hou. Appl. Phys. Lett., 71, 2193 (1997)
  11. I.E. Tyschenko, L. Rebohle, R.A. Yankov, W. Skorupa, A. Misiuk. Appl. Phys. Lett., 73, 1418 (1998)
  12. И.Е. Тысченко, В.А. Володин, Л. Реболе, М. Фельсков, В. Скорупа. ФТП, 33, 559 (1999)
  13. В.А. Гриценко. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах (Новосибирск, Наука, 1993) с. 280
  14. L. Skuja. J. Non-Cryst. Sol., 239, 16 (1998)
  15. R. Thomon, Y. Shimogaichi, H. Mizuno, Y. Ohki, K. Nagasawa, Y. Hama. Phys. Rev. Lett., 62, 1388 (1989)
  16. O.B. Tsiok, V.V. Brazhkin, A.G. Lyapin, L.G. Khvostantsev. Phys. Rev. Lett., 80, 999 (1998)
  17. V.V. Brazhkin. J. Non-Cryst. Sol., 124, 34 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.