"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние серы и селена на рельеф поверхности диэлектрических пленок и электрические характеристики структур металл--диэлектрик--p-GaAs
Панин А.В.1, Шугуров А.Р.1, Калыгина В.М.2
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Исследовано влияние атомов серы и селена на морфологию поверхности диэлектрических слоев, нанесенных на поверхность GaAs подложки. Показано, что введение халькогенов в приповерхностную область полупроводника приводит к выравниванию рельефа поверхности диэлектрических пленок. Одновременно наблюдается снижение плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-p-GaAs. Результат действия атомов серы и селена зависит от материала диэлектрика.
  1. В.Н. Бессолов, М.В. Лебедев. ФТП, 11, 1281 (1998)
  2. Б.И. Бедный. Соросовский образовательный журнал, 7, 141 (1998)
  3. V.I. Gaman, V.M. Kalygina, A.V. Panin. Sol. St. Electron., 43, 583 (1999)
  4. Э.В. Буц, Л.Н. Возмилова, В.И. Митин и др. Электрон. техн., сер. Материалы, 9, 46 (1982)
  5. Л.В. Храмова, Т.П. Смирнова, Е.Г. Еремина. Неорг. матер., 28, 1662 (1992)
  6. А.В. Панин, Н.А. Торхов. ФТП, 34, 698 (2000)
  7. В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова. Изв. вузов. Физика, 11, 99 (1992)
  8. Е.Д. Васильева, М.Н. Колотов, В.И. Соколов и др. Микроэлектроника, 21, 74 (1992)
  9. В.А. Бражник, Т.А. Долгова, А.Б. Спиридонов. Электрон. техн., сер. Микроэлектронные устройства, 1, 48 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.