Вышедшие номера
Глубокие уровни кластеров из атомов галлия в GaAs
Гриняев С.Н.1, Чалдышев В.А.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (8x8x8) изучены локализованные электронные состояния, создаваемые тетраэдрическими кластерами из атомов галлия в запрещенной зоне GaAs. Показано, что с ростом размеров кластеров уровень Ферми (EF) быстро достигает своего предельного значения, близкого к величине барьера Шоттки для плоской границы металл-полупроводник. Щель между полностью заполненными и пустыми уровнями размерного квантования для наибольшего кластера, содержащего 159 атомов галлия, составляет 0.06 эВ. Положение по энергии и "хвосты" металл-индуцированных состояний в области EF определяются наиболее внешними слоями из антиструктурных дефектов GaAs.