"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие уровни кластеров из атомов галлия в GaAs
Гриняев С.Н.1, Чалдышев В.А.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 22 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (8x8x8) изучены локализованные электронные состояния, создаваемые тетраэдрическими кластерами из атомов галлия в запрещенной зоне GaAs. Показано, что с ростом размеров кластеров уровень Ферми (EF) быстро достигает своего предельного значения, близкого к величине барьера Шоттки для плоской границы металл-полупроводник. Щель между полностью заполненными и пустыми уровнями размерного квантования для наибольшего кластера, содержащего 159 атомов галлия, составляет 0.06 эВ. Положение по энергии и "хвосты" металл-индуцированных состояний в области EF определяются наиболее внешними слоями из антиструктурных дефектов GaAs.
  1. М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
  2. J.-Y. Yi. Phys. Rev. B, 61, 7277 (2000); I. Vasiliev, S. Ogut, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 60, R8477 (1999); A. Rubio, J.A. Alonso, X. Blase, L.C. Balbas, S.G. Louie. Phys. Rev. Lett., 77, 247 (1996); D. Nehete, V. Shah, D.G. Kanhere. Phys. Rev. B, 53 2126 (1996); U. Rothlisberger, W. Andreoni, M. Parrinello. Phys. Rev. Lett., 72, 665 (1994); J.-Y. Yi, D.J. Oh, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 67, 1594 (1991)
  3. E. Koch. Phys. Rev. Lett., 76, 2678 (1996); W. Ekardt. Phys. Rev. B, 31, 6360 (1985)
  4. Y. Wang, N. Herron. Phys. Rev. B, 42, 7253 (1990)
  5. P.E. Lippens, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 39, 10 935 (1989)
  6. A.M. Mazzone. Phys. Rev. B, 54, 5970 (1996)
  7. M.V. Ramakrishna, R.A. Friesner. Phys. Rev. Lett., 67, 629 (1991)
  8. L.W. Wang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 11 417 (1996)
  9. С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30, 88 (1996); 32, 1094 (1998)
  10. C. Berthod, N. Binggeeli, A. Baldereschi. Phys. Rev. B, 57, 9757 (1998)
  11. C. Corbel, F. Pierre, K. Saarinen, P. Hautojarvi. Phys. Rev. B, 45, 3386 (1992)
  12. С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 39, 13 (1996)
  13. P.R. Skeath, I. Lindau, P. Pianetta, P.W. Chye, C.Y. Su, W.E. Spicer. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., 17, 259 (1979)
  14. J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30, 4874 (1984)
  15. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
  16. F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20, 145 (1987)
  17. V. Heine. Phys. Rev., 138, 1689 (1965)
  18. W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch, C.Y. Su, L. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
  19. P. Phatak, N. Newman, P. Dreszer, E.R. Weber. Phys. Rev., B, 51, 18 003 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.