Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокие уровни кластеров из атомов галлия в GaAs
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 22 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Методами псевдопотенциала и расширенной элементарной ячейки (8x8x8) изучены локализованные электронные состояния, создаваемые тетраэдрическими кластерами из атомов галлия в запрещенной зоне GaAs. Показано, что с ростом размеров кластеров уровень Ферми (EF) быстро достигает своего предельного значения, близкого к величине барьера Шоттки для плоской границы металл-полупроводник. Щель между полностью заполненными и пустыми уровнями размерного квантования для наибольшего кластера, содержащего 159 атомов галлия, составляет 0.06 эВ. Положение по энергии и "хвосты" металл-индуцированных состояний в области EF определяются наиболее внешними слоями из антиструктурных дефектов GaAs.
- М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев. ФТП, 32, 513 (1998)
- J.-Y. Yi. Phys. Rev. B, 61, 7277 (2000); I. Vasiliev, S. Ogut, J.R. Chelikowsky. Phys. Rev. B, 60, R8477 (1999); A. Rubio, J.A. Alonso, X. Blase, L.C. Balbas, S.G. Louie. Phys. Rev. Lett., 77, 247 (1996); D. Nehete, V. Shah, D.G. Kanhere. Phys. Rev. B, 53 2126 (1996); U. Rothlisberger, W. Andreoni, M. Parrinello. Phys. Rev. Lett., 72, 665 (1994); J.-Y. Yi, D.J. Oh, J. Bernholc. Phys. Rev. Lett., 67, 1594 (1991)
- E. Koch. Phys. Rev. Lett., 76, 2678 (1996); W. Ekardt. Phys. Rev. B, 31, 6360 (1985)
- Y. Wang, N. Herron. Phys. Rev. B, 42, 7253 (1990)
- P.E. Lippens, M. Lannoo. Phys. Rev. B, 39, 10 935 (1989)
- A.M. Mazzone. Phys. Rev. B, 54, 5970 (1996)
- M.V. Ramakrishna, R.A. Friesner. Phys. Rev. Lett., 67, 629 (1991)
- L.W. Wang, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 11 417 (1996)
- С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. ФТП, 30, 88 (1996); 32, 1094 (1998)
- C. Berthod, N. Binggeeli, A. Baldereschi. Phys. Rev. B, 57, 9757 (1998)
- C. Corbel, F. Pierre, K. Saarinen, P. Hautojarvi. Phys. Rev. B, 45, 3386 (1992)
- С.Н. Гриняев, В.А. Чалдышев. Изв. вузов. Физика, 39, 13 (1996)
- P.R. Skeath, I. Lindau, P. Pianetta, P.W. Chye, C.Y. Su, W.E. Spicer. J. Electron. Spectrosc. Relat. Phenom., 17, 259 (1979)
- J. Tersoff. Phys. Rev. B, 30, 4874 (1984)
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)
- F. Flores, C. Tejedor. J. Phys. C, 20, 145 (1987)
- V. Heine. Phys. Rev., 138, 1689 (1965)
- W.E. Spicer, P.W. Chye, P.R. Skeatch, C.Y. Su, L. Lindau. J. Vac. Sci. Technol., 16, 1422 (1979)
- P. Phatak, N. Newman, P. Dreszer, E.R. Weber. Phys. Rev., B, 51, 18 003 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
