Вышедшие номера
Распределение электронов между долинами и сужение запрещенной зоны при пикосекундной суперлюминесценции в GaAs
Агеева Н.Н.1, Броневой И.Л.1, Кривоносов А.Н.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Исследовано сужение запрещенной зоны в результате фотогенерации плотной горячей электронно-дырочной плазмы в GaAs. Плазма генерировалась пикосекундным импульсом света, и наблюдалась пикосекундная суперлюминесценция. Экспериментально доказано, что при этом полная концентрация фотогенерированных пар электронов и дырок становится единственным параметром, определяющим распределение электронов между Gamma6- и L6-долинами и соответствующее сужение запрещенной зоны. Это объясняется тем, что в присутствии суперлюминесценции температура и концентрация носителей заряда приблизительно связаны.