"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование физической природы фотомеханического эффекта
Герасимов А.Б.1, Чирадзе Г.Д.1, Кутивадзе Н.Г.1
1Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
Поступила в редакцию: 20 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Приведены результаты исследований фотомеханического эффекта, проведенных на монокристаллическом Si единой методикой. Исследовались зависимости фотомеханического эффекта от спектрального состава и интенсивности света, остаточный фотомеханический эффект (сохранение размягчения кристалла в течение некоторого времени), влияние освещения на анизотропию микротвердости и температурная зависимость фотомеханического эффекта. На основе проведенных исследований и анализа литературных данных установлена корреляция между величинами фотомеханического эффекта и соответствующей концентрации возбужденных светом неравновесных носителей (так называемых антисвязывающих квазичастиц), на основе которой предложен механизм, согласно которому уменьшение микротвердости в результате освещения в ковалентных кристаллах вызвано в основном ослаблением и изотропизацией химических связей антисвязывающими квазичастицами, образованными светом.
  1. G.C. Kuczynsky, R.H. Hochman. Phys. Rev., 108, 946 (1957)
  2. П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько. ФТТ, 4, 2656 (1962)
  3. В.М. Бейлин, Ю.Х. Векилов. ФТТ, 5, 2372 (1963)
  4. П.П. Кузьменко, Н.Н. Новиков, Н.Я. Горидько, К.И. Федоренько. ФТТ, 8, 1732 (1966)
  5. В.А. Дроздов, Л.А. Мозговая, А.Л. Рвачев. ДАН СССР, 177, 168 (1967)
  6. И.А. Доморяд. Радиационная физика неметаллических кристаллов (Минск, Наука и техн., 1970) с. 131
  7. Н.Я. Горидько, Н.Н. Новиков. УФЖ, 9, 1550 (1972)
  8. В.И. Круглов. Уч. зап. ЛГУ, 386, 119 (1976)
  9. А.Б. Герасимов, В.Б. Голубков, Э.Р. Кутелия, В.П. Минеев, Э.М. Мкртычян, А.А. Церцвадзе. Письма ЖТФ, 6, 58 (1980)
  10. A.B. Gerasimov. In: Proc. Fourth Int. Conf. Materials of Science Forum (N.Y., USA, 1990) v. 65--66, p. 47
  11. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел (М., Мир, 1983) т. 1, с. 59
  12. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1, с. 132
  13. А.Б. Герасимов, З.В. Джибути, Г.Д. Чирадзе. Сообщ. АН Грузии, 142, 53 (1991)
  14. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 40, 503 (1998)
  15. А.Б. Герасимов, Г.Д. Чирадзе, Н.Г. Кутивадзе, А.П. Бибилашвили, З.Г. Бохочадзе. ФТТ, 42 (4), 683 (2000)
  16. Вопросы радиационной технологии полупроводников, под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск, Наука, 1980) с. 149
  17. П.Д. Уоррен, С.Г. Робертс, П.Б. Хирш. Изв. АН СССР, сер. физ., 51, 812 (1987)
  18. Г.Д. Чирадзе. Автореф. канд. дис. (Тбилиси, 1992)
  19. A.B. Gerasimov, G.D. Chiradze, N.G. Kutivadze, A.P. Bibilashvili, Z.G. Bokhochadze. Bul. of the Georgian Acad. of Sciences, 156, 391 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.