"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронный спектр и электрофизические свойства германия с двухзарядной примесью золота по обе стороны разнодолинного перехода L1<-=_>Delta1 при всестороннем давлении до 7 ГПа
Даунов М.И.1, Камилов И.К.1, Габибов С.Ф.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 8 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.

Исследованы удельное сопротивление rho(P) и коэффициент Холла R(P)<0 в зависимости от гидростатического давления (P=< 7 ГПа) при комнатной температуре в Ge<Au, Sb> с частично заселенным при 0 K двухзарядным уровнем золота E2-Au по обе стороны разнодолинного перехода, происходящего при P=~ 2.8 ГПа. В рамках двухзонной модели рассчитаны барические зависимости rho(P) и R(P), а также холловской подвижности с учетом межзонного рассеяния, удовлетворительно согласующиеся с экспериментальными данными. Определены характеристические параметры носителей заряда и коэффициенты давления энергетических промежутков между краями L1- и Delta1-подзон зоны проводимости и уровнем E2-Au. Установлено, что положение уровня энергии двухзарядной примеси золота в германии статично относительно потолка валентной зоны. Впервые экспериментально (и по известным значениям зонных параметров) определена эффективная масса плотности состояний электронов в минимуме (100) зоны проводимости германия mdDelta=62/3(m||· m normal 2)1/3=1.05· m0. Показано, что Ge<Au2-> может быть использован для контроля гидростатичности давления до 10 ГПа.
  1. Л.В. Келдыш. ЖЭТФ, 45, 364 (1963)
  2. К.Б. Толпыго. ФТТ, 11, 2846 (1969)
  3. В.А. Тележкин, К.Б. Толпыго. ФТП, 16, 1337 (1982)
  4. И.М. Цидильковский. Концепция эффективной массы (Екатеринбург, УрО РАН, 1999)
  5. M.G. Holland, W. Paul. Phys. Rev., 128, 43 (1962)
  6. M.I. Nathan, W. Paul. Phys. Rev., 128, 38 (1962)
  7. Э.Г. Пель, В.И. Фистуль, А. Ягшыгельдыев, А.Г. Яковенко. ФТП, 14 (6), 1220 (1980)
  8. В.В. Попов, М.Л. Шубников, С.С. Шалыт, В.В. Косарев. ФТП, 11, 1914 (1977)
  9. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов, А.Ш. Киракосян. ФТП, 33 (1), 36 (1999)
  10. А. Плиткас, А. Крокус, Л.А. Балагуров, Э.М. Омельяновский. ФТП, 14, 2123 (1980)
  11. М.И. Даунов, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. ФТП, 25 (3), 467 (1991)
  12. И.К. Камилов, М.И. Даунов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 104, вып. 1(7), 2436 (1993)
  13. М.И. Даунов, И.К. Камилов, А.Б. Магомедов. ЖЭТФ, 111 (2), 562 (1997)
  14. М.И. Даунов, И.К. Камилов, В.А. Елизаров, А.Б. Магомедов, В.И. Данилов. Докл. РАН, 357 (5), 612 (1997)
  15. В.Н. Брудный. Изв. вузов. Физика, 29, N 8, 84 (1986)
  16. L.G. Khvostantsev, V.A. Sidorov. Phys. St. Sol. (a), 46, 305 (1978)
  17. G.J. Piermani, S. Block, J.D. Barnett. J. Appl. Phys., 44 (12), 5377 (1973)
  18. Е.С. Ицкевич. ПТЭ, N 3, 6 (1999)
  19. А. Джайяраман, Б. Косицкий. Тр. IX Межд. конф. полупр., Москва, 1, 51 (1968)
  20. M.I. Daunov, A.Yu. Mollaev, R.K. Arslanov, L.A. Saypulaeva, S.F. Gabibov. Abstract. VIII Int. Conf. on High Pressure Semiconductor Physics (Thessaloniki, Greece, 1998) p. 97
  21. В. Пол, Д. Варшауэр. В кн.: Твердые тела под высоким давлением (М., Мир, 1966) гл. 8
  22. B. Levinger, L. Frankl. J. Phys. Chem. Sol., 20, 281 (1961)
  23. F. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev., 142, 530 (1966)
  24. M.R. Samuelsen. Phys. St. Sol. (b), 43, K 83 (1971)
  25. M.I. Nathan, W. Paul, H. Brooks. Phys. Rev., 124, 391 (1961)
  26. M.J. Holland, W. Paul. Phys. Rev., 128 (1), 30 (1962)
  27. А.Р. Гаджиев, С.М. Рывкин, И.С. Шлимак. Письма ЖЭТФ, 15, 605 (1972)
  28. В.С. Вавилов, А.М. Идалбаев, И.А. Курова, А. Энрикес. ФТП, 2, 407 (1980)
  29. М.И. Даунов, А.Ю. Моллаев, Р.К. Арсланов, Л.А. Сайпулаева, С.Ф. Габибов, В.А. Елизаров. Деп. в ВНИТИ N 2038. В. 96 от 20.08.1996. 16 с.; Известия вузов. Физика, N 12 (1996). Аннотация, с. 128
  30. M.I. Daunov, A.Yu. Mollaev, R.K. Arslanov, L.A. Saypulaeva. Abstract 7th Int. Conf. on High Pressure Semiconductor Physics (Gemany, 1996) P.B. 23
  31. E.P. Skipetrov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, E.A. Zvereva. Phys. St. Sol. ( b). 211, 539 (1999)
  32. И.М. Цидильковский. В кн.: Электронный спектр бесщелевых полупроводников (Свердловск, УрО РАН, 1991)
  33. R.K. Arslanov, S.F. Gabibov, M.I. Daunov, I.K. Kamilov, A.B. Magomedov, R.Kh. Akchurin. Abstract XXXVII of the European High Pressure Research Group Meeting (Monpellier, France, 1999) P1--04
  34. М.И. Даунов, И.К. Камилов, Р.Х. Акчурин, А.Б. Магомедов, С.Ф. Габибов. Тез. докл. IV Росс. конф. по физике полупроводников (Новосибирск, 1999) с. 84

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.