Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Разъединенные гетероструктуры II типа InAs/GaIn_0.17As_0.22Sb с резкой планарной границей раздела

Моисеев К.Д.¹, Ситникова А.А.¹, Фалеев Н.Н.², Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Department of Electrical Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA

Поступила в редакцию: 23 июня 2000 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Кристаллически совершенные гетероструктуры II типа Ga_0.83In_0.17As_0.22Sb_0.78/InAs на основе четверных твердых растворов, обогащенных антимонидом галлия, были получены на подложках InAs (001) методом жидкофазной эпитаксии. Эпитаксиальные слои GaInAsSb были выращены в условиях планарного двумерного роста с резкими по составу и планарными интерфейсами. Толщина переходного слоя на границе раздела Ga_0.83In_0.17As_0.22Sb_0.78/InAs, обогащенного тяжелыми ростовыми компонентами (In и Sb), в совершенных структурах составляла 10-12 Angstrem. Шероховатость верхней границы целиком определялась условиями эпитаксиального роста и не превышала 500 Angstrem для структур с толщинами слоев порядка 2 мкм.

H.K. Choi, G.W. Turner, S.R. Kurtz. Appl. Phys. Lett., 65 (18), 2251 (1994)
Yu.P. Yakovlev, T.N. Danilova, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, O.G. Ershov, V.V. Sherstnev. Proc. 23th Int. Symp. on Compound Semiconductors, St. Petersburg, Sept. 28--30, 1996 (St. Petersburg, IOP, 1997) p. 551
Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30 (6), 985 (1996)
M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, R.V. Parfeniev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. IEE Proc.-Optoelectron., 145 (5), 268 (1998)
П.С. Копьев, С.В. Иванов, Н.Н. Леденцов, Б.Я. Мельцер, М.Ю. Надточий, В.М. Устинов. ФТП, 24 (4), 717 (1990)
M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40 (8), 673 (1996)
К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30 (3), 399 (1996)
М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (4), 55 (1997)
Н.А. Берт, А.О. Косогов, Ю.Г. Мусихин. Письма ЖТФ, 17 (19), 39 (1991)
В.Г. Груздев, А.О. Косогов, Н.Н. Фалеев. Письма ЖТФ, 20 (14), 1 (1996)
A.G. Norman, G.R. Booker. J. Appl. Phys., 57 (10), 4715 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель