Структуры типа p⁺-n-n⁺ на базе пленок 6H-SiC, выращенных методом chemical vapor deposition на n⁺-подложке, облучались протонами с энергией 8 МэВ и дозой 8· 10¹⁵ см^-2. Для стабилизации материала применялся отжиг при T=450^oC в течение 10 мин. В итоге удельное сопротивление пленки составляло rho=5· 10⁹ Ом · см. Воздействие протонов исследовалось методом alpha-спектрометрии. Регистрация alpha-частиц с энергией 5.77 МэВ проводилась как при обратном, так и прямом напряжениях. Сопоставлялись результаты двух режимов регистрации: (1) при сквозном простреле структуры плотным треком и (2) для условий полного торможения частицы. Показано, что в случае (1) сигнал в режиме прямого смещения формируется по механизму "сквозного проводящего канала". Это позволяет определить величину произведения времени жизни электронов на их подвижность. Исследован стандартный для спектрометрии режим, когда пробег частицы R не превышает протяженности пленки. Отмечено, что уменьшение R приводит к различному поведению сигнала для указанных выше смещений. Так, для прямого смещения сигнал уменьшается более резко и при больших значениях R.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.