Вышедшие номера
Фотолюминесценция твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (0.08<x<0.22), изопериодных с InAs
Моисеев К.Д.1, Торопов А.А.1, Терентьев Я.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Впервые исследована фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Ga1-xInxAsySb1-y в интервале составов, соответствующем 0.08<x<0.22, изопериодных с подложкой InAs, при T=80 K, и экспериментально оценена ширина запрещенной зоны твердых растворов. Показано, что для нелегированных слоев p-GaInAsSb интенсивность межзоннoй излучательной рекомбинации зависит от состава четверного твердого рaствора и определяется концентрацией природных структурных дефектов. Для легированных донорной примесью Te слоев n-GaInAsSb в спектрах фотолюминесценции наряду с межзонной рекомбинационной полосой наблюдалась полоса излучения, связанная с излучательными рекомбинационными переходами на глубокий акцепторный уровень, образованный природным комплексом VGaTe с энергией активации EDA=122 мэВ.