"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y (0.08<x<0.22), изопериодных с InAs
Моисеев К.Д.1, Торопов А.А.1, Терентьев Я.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Впервые исследована фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Ga1-xInxAsySb1-y в интервале составов, соответствующем 0.08<x<0.22, изопериодных с подложкой InAs, при T=80 K, и экспериментально оценена ширина запрещенной зоны твердых растворов. Показано, что для нелегированных слоев p-GaInAsSb интенсивность межзоннoй излучательной рекомбинации зависит от состава четверного твердого рaствора и определяется концентрацией природных структурных дефектов. Для легированных донорной примесью Te слоев n-GaInAsSb в спектрах фотолюминесценции наряду с межзонной рекомбинационной полосой наблюдалась полоса излучения, связанная с излучательными рекомбинационными переходами на глубокий акцепторный уровень, образованный природным комплексом VGaTe с энергией активации EDA=122 мэВ.
  1. К.Д. Моисеев, М.П. Михайлова, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 30 (3), 399 (1996)
  2. T.S. Hasenberg. R.H. Miles, A.R. Kost, L. West. IEEE J. Quant. Electron., 33 (8), 1403 (1997)
  3. M.P. Mikhailova, B.E. Zhurtanov, K.D. Moiseev, A.N. Imenkov, O.G. Ershov, Yu.P. Yakovlev. MRS Symp. Proc., 484, 101 (1997)
  4. A.I. Nadezhdinski, A.M. Prokhorov. SPIE Proc., 1724, 2 (1992)
  5. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9 (4), 1279 (1994)
  6. А. Андаспаева, А.Н. Баранов, А. Гусейнов, А.Н. Именков, А.М. Литвак, Г.М. Филаретова, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 14, 377 (1988)
  7. М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, О.Г. Ершов, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 23 (4), 55 (1997)
  8. E. Hulicius, J. Oswald, J. Pangrac, T. Simecek, N.S. Bresler, V.N. Cheban, O.B. Gusev, A.N. Titkov. J. Appl. Phys., 75 (8), 4189 (1994)
  9. Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.Е. Розов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34 (3), 194 (2000)
  10. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, G.G. Zegrya, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Elecrton., 40 (8), 673 (1996)
  11. H. Mani, A. Joullie, A.M. Joullie, B. Girault, C. Alibert. J. Appl. Phys., 61 (5), 2101 (1987)
  12. A.K. Srivastava, J.L. Zyskind, R.M. Lum, B.V. Dutt, J.K. Klingert. Appl. Phys. Lett., 49, 41 (1986)
  13. D. Effer, P.J. Etter. J. Phys. Chem. Sol., 25, 451 (1964)
  14. А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Н.С. Зимогорова, Л.М. Канская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 19 (9), 1676 (1985)
  15. K.F. Longenbach, W.I. Wang. Appl. Phys. Lett., 59, 1117 (1991)
  16. M. Ichimura, K. Higuchi, Y. Hattori, T. Wada, N. Kitamura, J. Appl. Phys., 68 (12), 6153 (1990)
  17. А.Н. Баранов, А.Н. Дахно, Б.Е. Джуртанов, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (1), 98 (1990)
  18. А.И. Лебедев, И.А. Стрельникова. ФТП, 2, 389 (1978)
  19. А.С. Кюгерян, И.К. Лазарева, В.М. Стучебников, А.Э. Юнович. ФТП, 6 (2), 242 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.