"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние резонансных состояний Sn на электрическую однородность монокристаллов Bi2Te3
Житинская М.К.1, Немов С.А.1, Свечникова Т.Е.2, Рейнсхаус П.3, Мюллер Э.4
1Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3Мартин--Лютер--Университет, Халле--Вюттенберг, Халле, ФРГ
4Аэрокосмический центр, Институт исследования материалов, Кельн, ФРГ
Поступила в редакцию: 25 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

В монокристаллах Bi2Te3 с примесью Sn обнаружена необычно высокая однородность электрических свойств. Коэффициент термоэдс, чувствительный к флуктуациям концентрации носителей заряда, стабилен даже при увеличении количества введенной примеси Sn. Этот факт находит объяснение в рамках модели примесных резонансных состояний.
  1. V.A. Semenyuk, T.E. Svechnikova, L.D. Ivanova. Adv. Mater., 5, 428 (1994)
  2. V.A. Kulbachinskii, N.B. Brandt, P.A. Cheremnykh, S.A. Azou, J. Horak, P. Lostak. Phys. St. Sol. (b), 150, 237 (1988)
  3. Г.Т. Алексеева, П.П. Константинов, В.А. Кутасов, Л.Н. Лукьянова, Ю.И. Равич. ФТТ, 38, 2998 (1996)
  4. М.К. Житинская, С.А. Немов, Т.Е. Свечникова. ФТТ, 40, 1428 (1998)
  5. Т.Е. Свечникова, С.Н. Чижевская, Н.М. Максимова. Неорг. матер., 30, 161 (1994)
  6. T.E. Svechnikova, I.D. Ivanova, S.N. Chizhevskaya. Doped Semiconducting Materials, ed. by V.S. Zemskow (N.Y., Nova Science Pabliscers Inc., 1993) p. 247
  7. P. Reinchaus, H. Sussmann, M. Bohm, A. Schuck, T. Dietrih. Proc. 2nd Symp. Thermoelectrics Materials, Proc. Techniques and Applications (Dresden, Germany, 1994) p. 90

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.