"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование барьерных структур In/PbTe с промежуточным тонким диэлектрическим слоем
Александрова О.А.1, Ахмеджанов А.Т.1, Бондоков Р.Ц.1, Мошников В.А.1, Саунин И.В.1, Таиров Ю.М.1, Штанов В.И.2, Яшина Л.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносoва, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.

Эпитаксиальные слои n-PbTe были выращены из газовой фазы методом горячей стенки на подложках из монокристаллического BaF2 111. Выращенные слои выдерживались на воздухе в течение 15-30 дней, после чего напылялся In и защитный слой BaF2. На изготовленных таким образом барьерных структурах In/n-PbTe измерялись вольт-амперные и фотоэлектрические характеристики в диапазоне T=80-300 K. Анализ экспериментальных результатов позволил предложить модель механизма токопереноса и определить эффективную высоту барьера varphibeff, толщину диэлектрической прослойки delta и плотность поверхностных состояний DS.
  1. Н.Н. Берченко, Д.Ш. Заридзе, А.В. Матвеенко. Зарубежная электронная техника, N 4, 34 (1979)
  2. Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
  3. В сб.: Тонкие пленки --- взаимная диффузия и реакции, под ред. Д. Поута, К. Ту, Д. Мейера (М., Мир, 1982)
  4. В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. В сб.: Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (Физика, технология, применение), под ред. В.И. Стрихи (М., Сов. pадио, 1974)
  5. Т.А. Гришина, И.А. Драбкин, Ю.П. Костиков, А.В. Матвеенко, Н.Г. Протасова, Д.А. Саксеев. Изв. АН СССР. Неорг. матeр., 18 (10), 1709 (1982)
  6. Т.А. Гришина, И.А. Драбкин, Ю.П. Костиков, А.В. Матвеенко, Д.А. Саксеев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23 (11), 1839 (1987)
  7. Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной электроники (М., Радио и связь, 1990)
  8. В.Т. Трофимов, Ю.Г. Семенов, Е.Г. Чижевский. ФТП, 30, 755 (1996)
  9. A.L. Hagstrom, A. Fahlman. Appl. Surf. Sci., 1, 455 (1978)
  10. R. Bettini, H.J. Richter. Surf. Sci., 80, 334 (1979)
  11. О.А. Александрова, Р.Ц. Бондоков, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров. ФТП, 32, 1064 (1998)
  12. В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x- диаграммы систем металл--халькоген (М., Наука, 1987)
  13. Т.А. Гришина, Н.Н. Берченко, Г.И. Годердзиашвили, И.А. Драбкин, А.В. Матвеенко, Т.Д. Мхеидзе, Д.А. Саксеев, Е.А. Третьякова. ЖТФ, 57, 2355 (1987)
  14. Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
  15. R.Tz. Bondokov, D.Tz. Dimitrov, V.A. Moshnikov, M.F. Panov, I.V. Saunin. Proc. 5th Int. Conf. on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronic (Kiev, Ukraine) [Proceeding of SPIF, 3890, 241 (1999)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.