Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование барьерных структур In/PbTe с промежуточным тонким диэлектрическим слоем
Александрова О.А.1, Ахмеджанов А.Т.1, Бондоков Р.Ц.1, Мошников В.А.1, Саунин И.В.1, Таиров Ю.М.1, Штанов В.И.2, Яшина Л.В.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия 
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносoва, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносoва, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2000 г.
Эпитаксиальные слои n-PbTe были выращены из газовой фазы методом горячей стенки на подложках из монокристаллического BaF2 111. Выращенные слои выдерживались на воздухе в течение 15-30 дней, после чего напылялся In и защитный слой BaF2. На изготовленных таким образом барьерных структурах In/n-PbTe измерялись вольт-амперные и фотоэлектрические характеристики в диапазоне T=80-300 K. Анализ экспериментальных результатов позволил предложить модель механизма токопереноса и определить эффективную высоту барьера varphibeff, толщину диэлектрической прослойки delta и плотность поверхностных состояний DS.
- Н.Н. Берченко, Д.Ш. Заридзе, А.В. Матвеенко. Зарубежная электронная техника, N 4, 34 (1979)
- Х. Родерик. Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)
- В сб.: Тонкие пленки --- взаимная диффузия и реакции, под ред. Д. Поута, К. Ту, Д. Мейера (М., Мир, 1982)
- В.И. Стриха, Е.В. Бузанева, И.А. Радзиевский. В сб.: Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки (Физика, технология, применение), под ред. В.И. Стрихи (М., Сов. pадио, 1974)
- Т.А. Гришина, И.А. Драбкин, Ю.П. Костиков, А.В. Матвеенко, Н.Г. Протасова, Д.А. Саксеев. Изв. АН СССР. Неорг. матeр., 18 (10), 1709 (1982)
- Т.А. Гришина, И.А. Драбкин, Ю.П. Костиков, А.В. Матвеенко, Д.А. Саксеев. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 23 (11), 1839 (1987)
- Е.В. Бузанева. Микроструктуры интегральной электроники (М., Радио и связь, 1990)
- В.Т. Трофимов, Ю.Г. Семенов, Е.Г. Чижевский. ФТП, 30, 755 (1996)
- A.L. Hagstrom, A. Fahlman. Appl. Surf. Sci., 1, 455 (1978)
- R. Bettini, H.J. Richter. Surf. Sci., 80, 334 (1979)
- О.А. Александрова, Р.Ц. Бондоков, И.В. Саунин, Ю.М. Таиров. ФТП, 32, 1064 (1998)
- В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x- диаграммы систем металл--халькоген (М., Наука, 1987)
- Т.А. Гришина, Н.Н. Берченко, Г.И. Годердзиашвили, И.А. Драбкин, А.В. Матвеенко, Т.Д. Мхеидзе, Д.А. Саксеев, Е.А. Третьякова. ЖТФ, 57, 2355 (1987)
- Г.А. Бордовский, В.А. Извозчиков. Естественно-неупорядоченный полупроводниковый кристалл (СПб., Образование, 1997)
- R.Tz. Bondokov, D.Tz. Dimitrov, V.A. Moshnikov, M.F. Panov, I.V. Saunin. Proc. 5th Int. Conf. on Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronic (Kiev, Ukraine) [Proceeding of SPIF, 3890, 241 (1999)].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
