Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых барьерных структур
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Исследовано влияние низкотемпературного перераспределения электронного заряда на границе Si/SiO2 между межфазными состояниями и зоной проводимости кристалла n-Si на температурное поведение проводимости, фотоэдс и фототока в барьерных структурах с краевыми электронными поверхностными каналами в области температур 77-300 K. Динамика токового отклика канала на изменение напряжения в темноте и при освещении может быть объяснена дисперсионным прыжковым транспортом дырок в SiO2, индуцирующим перенос и аккумуляцию электронов на поверхности Si у барьерного контакта. Насыщение фотоэдс при низких температурах и немонотонные температурные зависимости фототока связываются с немонотонным увеличением плотности локализованных дырок на границе Si/SiO2 и свободных электронов на поверхности Si при охлаждении, отражающем изменение валентности кислородных комплексов.
- Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 82 (1998)
- Н.И. Бочкарева. ФТП, 28, 290 (1994)
- Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 1432 (1998)
- Н.И. Бочкарева, С.А. Хорев. ФТП, 33, 1340 (1999)
- В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин, Д.И. Мурин, Г.М. Мурина, А.М. Прохоров. ФТП, 18, 938 (1984)
- E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell. Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
- Е.В. Власенко, Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП, 11, 1112 (1977)
- В.Н. Алфеев, А.В. Ельцов, С.Т. Иванченко, В.В. Широков. ФТП, 16, 692 (1982)
- H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975)
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- R.C. Hughes. Phys. Rev. B, 15, 2012 (1977)
- Z. Yu, C. Ang, L.E. Cross. Appl. Phys. Lett., 74, 3044 (1999)
- B.M. Mecs, A.S. Nowick. Appl. Phys. Lett., 8, 75 (1966)
- L.P. Khiznichenko, P.F. Kromer, D.K. Kaipnazarov, E. Otenyazov, D. Yusupova, L.G. Zotova. Phys. St. Sol., 21, 805 (1967)
- А. Новик, Б. Берри. Релаксационные явления в кристаллах (М., Атомиздат, 1975)
- R.W. Gurtler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-15, 980 (1968)
- А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO2 на кремнии (Л., Изд-во Лен. ун-та, 1988)
- М.Ю. Смирнов, В.В. Городецкий. Поверхность. Физика, химия, механика, N 7, 21 (1986)
- Т.В. Ягодовская, Л.И. Некрасов. ЖФХ, 51, 2434 (1977)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
