"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние низкотемпературного межфазного переноса заряда на границе Si/SiO2 на фотоответ кремниевых барьерных структур
Бочкарева Н.И.1, Хорев С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Исследовано влияние низкотемпературного перераспределения электронного заряда на границе Si/SiO2 между межфазными состояниями и зоной проводимости кристалла n-Si на температурное поведение проводимости, фотоэдс и фототока в барьерных структурах с краевыми электронными поверхностными каналами в области температур 77-300 K. Динамика токового отклика канала на изменение напряжения в темноте и при освещении может быть объяснена дисперсионным прыжковым транспортом дырок в SiO2, индуцирующим перенос и аккумуляцию электронов на поверхности Si у барьерного контакта. Насыщение фотоэдс при низких температурах и немонотонные температурные зависимости фототока связываются с немонотонным увеличением плотности локализованных дырок на границе Si/SiO2 и свободных электронов на поверхности Si при охлаждении, отражающем изменение валентности кислородных комплексов.
  1. Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 82 (1998)
  2. Н.И. Бочкарева. ФТП, 28, 290 (1994)
  3. Н.И. Бочкарева, А.В. Клочков. ФТП, 32, 1432 (1998)
  4. Н.И. Бочкарева, С.А. Хорев. ФТП, 33, 1340 (1999)
  5. В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, В.П. Калинушкин, Д.И. Мурин, Г.М. Мурина, А.М. Прохоров. ФТП, 18, 938 (1984)
  6. E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell. Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
  7. Е.В. Власенко, Р.А. Сурис, Б.И. Фукс. ФТП, 11, 1112 (1977)
  8. В.Н. Алфеев, А.В. Ельцов, С.Т. Иванченко, В.В. Широков. ФТП, 16, 692 (1982)
  9. H. Scher, E.W. Montroll. Phys. Rev. B, 12, 2455 (1975)
  10. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  11. R.C. Hughes. Phys. Rev. B, 15, 2012 (1977)
  12. Z. Yu, C. Ang, L.E. Cross. Appl. Phys. Lett., 74, 3044 (1999)
  13. B.M. Mecs, A.S. Nowick. Appl. Phys. Lett., 8, 75 (1966)
  14. L.P. Khiznichenko, P.F. Kromer, D.K. Kaipnazarov, E. Otenyazov, D. Yusupova, L.G. Zotova. Phys. St. Sol., 21, 805 (1967)
  15. А. Новик, Б. Берри. Релаксационные явления в кристаллах (М., Атомиздат, 1975)
  16. R.W. Gurtler. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-15, 980 (1968)
  17. А.П. Барабан, В.В. Булавинов, П.П. Коноров. Электроника слоев SiO-=SUB=-2-=/SUB=- на кремнии (Л., Изд-во Лен. ун-та, 1988)
  18. М.Ю. Смирнов, В.В. Городецкий. Поверхность. Физика, химия, механика, N 7, 21 (1986)
  19. Т.В. Ягодовская, Л.И. Некрасов. ЖФХ, 51, 2434 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.