"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование структуры Al--Ge3N4--Ge методом фото-вольт-фарадных характеристик
Джанелидзе Р.Б.1, Джанелидзе М.Б.1, Кациашвили М.Р.1
1Институт кибернетики Академии наук Грузии, Тбилиси, Грузия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Представлены результаты исследования границы раздела германий--нитрид германия (Ge--Ge3N4) методом вольт-фарадных характеристик при облучении структуры фотонами разной энергии. Примененная методика позволила определить уровни ловушек в нитриде германия, глубина залегания этих уровней составляет 0.75, 0.89 и 3.0 эВ. При исследовании токопрохождения через структуру Ge--Ge3N4 найдено два уровня в Ge3N4 с глубиной залегания 0.75 и 0.87 эВ.
  1. G.D. Bagratishvili, R.B. Dzhanelidze, N.I. Kurdiani et al. Thin Sol. Films, 56, 209 (1979)
  2. Takehisa Yashiro. Japan. J. Appl. Phys., 10, 1691 (1971)
  3. Г.Д. Багратишвили, Р.Б. Джанелидзе, Н.И. Курдиани, О.В. Саксаганский. Микроэлектроника, 2, 173 (1973)
  4. G.D. Bagratishvili, R.B. Dzhanelidze, D.A. Jishiashvili, V.M. Mikhelashvili, A.N. Zyuganov. Phys. St. Sol. (a), 65, 701 (1981)
  5. A.N. Zyuganov, P.S. Smertenko, E.P. Shulga. Poluprov. Tekhn. i Mikroelectronika, 29, 48 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.