"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на напряженное состояние гетероструктуры
Пелещак Р.М.1, Лукиянец Б.А.2, Зегря Г.Г.3
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2Государственный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

В рамках электронно-деформационной модели рассмотрен механизм возникновения электронно-деформационного диполя на механически напряженной гетерогранице. На примере гетероструктуры ZnSe / ZnS показано, что при наложении внешнего электрического поля ~120 кВ/см по нормали к плоскости ее гетерограницы решетка ZnSe (ZnS) претерпевает дополнительную деформацию сжатия ~4% (~3%), а при противоположном направлении поля --- деформацию растяжения ~5% (~5%).
  • Б.А. Джойс. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры (М., Мир, 1989)
  • М.С. Бродин, В.В. Тищенко, Н.В. Боднарь, А.В. Коваленко, А.Ю. Мекекечко. УФЖ, 37, 1802 (1992)
  • G. Chris, Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  • И.В. Стасюк, Р.М. Пелещак. УФЖ, 36, 1744 (1991)
  • Ф. Бехшдедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990) с. 425
  • Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред (М., Наука, 1982) с. 35
  • Р.М. Пелещак, Б.А. Лукиянец. Письма ЖТФ, 24 (2), 37 (1998)
  • А.М. Косевич. Основы механики кристаллической решетки (М., Наука, 1972)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.