"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Статическая и высокочастотная поперечная проводимость изотипных кремниевых структур, полученных методом прямого сращивания
Стучинский В.А.1, Камаев Г.Н.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 6 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Обсуждается возможность использования результатов измерения квазистатических вольт-амперных характеристик и высокочастотного импеданса симметричных по легированию бикристаллических структур, полученных методом прямого сращивания кремния, для одновременного определения электрофизических параметров границы сращивания (дифференциальной плотности поверхностных состояний nu(E)) и приграничных слоев (распределения концентрации легирующей примеси в окрестности границы). Обращается внимание на то обстоятельство, что отношение статического тока к высокочастотной проводимости представляет собой параметр, весьма чувствительный к наличию "проколов" (участков с повышенной проводимостью) в потенциальном барьере границы сращивания. Экспериментально показано, что проводимость реальных бикристаллических структур, полученных прямым сращиванием кремния, в значительной степени определяется наличием таких "проколов", что должно учитываться при определении зависимости nu(E) наряду с возможным подлегированием приграничных слоев в процессе сращивания.
  1. C.H. Seager, G.E. Pike. Appl. Phys. Lett., 35 (9), 709 (1979)
  2. S. Bengtsson, O. Engstrom. J. Appl. Phys., 66 (3), 1231 (1989)
  3. S. Bengtsson, O. Engstrom. Japan. J. Appl. Phys., 30 (2), 356 (1991)
  4. Е.В. Астрова, В.Б. Воронков, Ю.Н. Далуда, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 18 (14), 51 (1992)
  5. K. Nagai, H. Takato, Y. Hayashi. Japan. J. Appl. Phys., 31, L1529 (1992)
  6. К.Л. Енишерлова, Т.Ф. Русак, Г.Г. Шмелева, И.Г. Иерусалимчик. Микроэлектроника, 23(6), 46 (1994)
  7. X. Mitani, M. Katayama, K. Nakazawa. Proc. 3rd Int. Symp. on Semicond. Wafer Bonding: Physics and Applications (Pennington, 1995) p. 96
  8. C. Okada, Y. Kawai, E. Morita, Y. Saitoh. Proc. 3rd Int. Symp. on Semicond. Wafer Bonding: Physics and Applications (Pennington, 1995) p. 363
  9. A. Laporte, G. Sarrabayrose, L. Lescouzeres, A. PeyreLavigne, M. Benamara, A. Rocher, A. Claverie. Proc. 6th Int. Symp. on Power Semicond. Devices and IC's (Davos, 1994)
  10. S. Bengtsson, G.I. Andersson, M.O. Andersson, O. Engstrom. J. Appl. Phys., 72 (1), 124 (1992)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N.Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapore, John Wiley \& Sons, 1981) v. 1]
  12. W.E. Taylor, N.H. Odell, H.Y. Fan. Phys. Rev., 88 (4), 867 (1952)
  13. Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961)
  14. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977). [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Inpurities in Semiconductors (N.Y.--London--Sydney--Toronto, John Wiley \& Sons, 1973)]
  15. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  16. F.G. Stutzler, H.J. Queisser. J. Appl. Phys., 60 (11), 3910 (1986)
  17. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. ФТП, 10 (10), 1839 (1976)
  18. A. Broniatowski. Phys. Rev. B, 36 (11), 5895 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.