Рассмотрены особенности растворимости гадолиния в процессе роста кристалла Hg₃In₂Te₆<Gd>. Отмечено, что максимально возможная концентрация гадолиния в твердой фазе составляет 2.3· 10¹⁹ см^-3. Показано, что с ростом степени легирования возникают деформации и напряжения кристаллической решетки, коррелирующие с концентрацией примеси. Легирование практически не изменяет кинетические параметры и положение уровня Ферми, который расположен вблизи середины запрещенной зоны. Наблюдаемое поглощение света в области энергий фотонов, меньших ширины запрещенной зоны, объясняется наличием в запрещенной зоне хвостов плотности состояний. Особенности спектров поглощения интерпретируются с использованием теории взаимодействия света с неупорядоченным сильно компенсированным полупроводником. Дополнительное бесструктурное поглощение в области прозрачности обусловлено малоугловым рассеянием света на включениях, образованных заряженными примесями.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.