"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние легирования гадолинием на физические свойства Hg3In2Te6
Грушка О.Г.1, Горлей П.М.1, Бесценный А.В.1, Грушка З.М.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 4 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Рассмотрены особенности растворимости гадолиния в процессе роста кристалла Hg3In2Te6<Gd>. Отмечено, что максимально возможная концентрация гадолиния в твердой фазе составляет 2.3· 1019 см-3. Показано, что с ростом степени легирования возникают деформации и напряжения кристаллической решетки, коррелирующие с концентрацией примеси. Легирование практически не изменяет кинетические параметры и положение уровня Ферми, который расположен вблизи середины запрещенной зоны. Наблюдаемое поглощение света в области энергий фотонов, меньших ширины запрещенной зоны, объясняется наличием в запрещенной зоне хвостов плотности состояний. Особенности спектров поглощения интерпретируются с использованием теории взаимодействия света с неупорядоченным сильно компенсированным полупроводником. Дополнительное бесструктурное поглощение в области прозрачности обусловлено малоугловым рассеянием света на включениях, образованных заряженными примесями.
  1. В.Ф. Мастеров, Л.Ф. Захаренков. ФТП, 24, 610 (1990)
  2. G.G. Grushka, A.P. Bakhtinov, Z.M. Grushka. J. Advanced Mater., 4 (1), 36 (1997)
  3. О.Г. Грушка, З.М. Грушка, В.М. Фрасуняк, В.С. Герасименко. ФТП, 33, 1416 (1999)
  4. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  5. И.А. Драпкин, Б.Я. Мойжес. ФТП, 15, 625 (1981)
  6. Б.Л. Гельмонт, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 25, 727 (1983)
  7. Э.З. Имамов, Б.Р. Мамуткулов. ФТП, 15, 1800 (1981)
  8. Ю.А. Астров, Л.М. Порцель. ФТП, 17, 1342 (1983)
  9. В.В. Воронков, Г.И. Воронкова, Б.В. Зубков. ФТТ, 23, 117 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.