"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Сопоставление поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te при одноосном давлении и резонансном поляризованном возбуждении
Гуткин А.А.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Показано, что полоса фотолюминесценции 1.2 эВ в n-GaAs:Te, связываемая с излучением комплексов VGaTeAs с переориентирующимися ян-теллеровскими дисторсиями, содержит также вклад непереориентирующихся дефектов. Параметры оптических диполей обоих типов дефектов близки. В предположении об их полном совпадении получены выражения, связывающие величины поляризации полосы фотолюминесценции 1.2 эВ, полученные при одноосном давлении и поляризованном резонансном возбуждении, с параметрами диполей, а также с относительным вкладом в излучение переориентирующихся и непереориентирующихся дефектов. Развита методика оценок этих характеристик из анализа экспериментальных данных и определено, что вклады дефектов каждого типа в полосу фотолюминесценции 1.2 эВ сравнимы, хотя и изменяются от образца к образцу. Полученные значения углов, характеризующих положение осей оптических диполей дефектов в поглощающем и излучающем свет состояниях, свидетельствуют, что в первом из них влияние донора и ян-теллеровской дисторсии на вакансионные орбитали комплекса VGaTeAs сравнимы, тогда как во втором --- влияние дисторсии доминирует.
  1. E.W. Williams. Phys. Rev., 168, 922 (1968)
  2. E.W. Williams, H.B. Bebb. Semiconductors and Semimetals, ed by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, N.Y.--London, 1972) v. 8, p. 321
  3. Ф.М. Воробкало, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 7, 896 (1973)
  4. H.G. Guislain, L. De Wolf, P. Clauws. J. Electron. Mater., 7, 83 (1978)
  5. И.Я. Буянова, С.С. Остапенко, М.К. Шейнкман. ФТТ, 27, 748 (1985)
  6. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Р. Сосновский. ФТП, 26, 1269 (1992)
  7. A. Gutkin, M. Reshchikov, V. Sedov, V. Sosnovski. Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 44, 212 (1995)
  8. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Proc. 18th Int. Conf. on Defects in Semicond. (Sendai, Japan, July 23--28, 1995), ed. by M. Suezawa, H. Katayama--Yoshida [Mater. Sci. Forum., 196--201, pt. 1, 231 (1995)]
  9. N.S. Averkiev, A.A. Gutkin, E.B. Osipov, M.A. Reshchikov, V.R. Sosnovki. Proc. 1st Nat. Conf. on Defects in Semicond. (St.Petersburg, Russia, April 26--30, 1992), ed. by N.T. Bagraev [Def. Dif. Forum, 103--106, 31 (1993)]
  10. G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1964)
  11. E.L. Elkin, G.D. Watkins. Phys. Rev., 174, 881 (1968)
  12. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. Тр. межд. конф. "Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах" (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 1999) с. 12
  13. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 58 (1991)
  14. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, Е.Б. Осипов, М.А. Рещиков, В.Е. Седов, В.Р. Сосновский. ФТП, 25, 50 (1991)
  15. П.П. Феофилов. Поляризованная фотолюминесценция атомов, молекул, кристаллов (М., Физматгиз, 1959)
  16. Е.Е. Букке, Н.Н. Григорьев, М.В. Фок. Тр. ФИАН, 79, 108 (1974)
  17. А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 31, 1062 (1997)
  18. A.A. Gutkin, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Zeitschrift fur Physikalische Chemie, 200, 217 (1999)
  19. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков. ФТП, 33, 1323 (1999)
  20. Y.Q. Jia, H.J. von Bardeleben, D. Stievenard, C. Delerue. Phys. Rev. B, 45, 1645 (1992)
  21. В.И. Вовненко, К.Д. Глинчук, А.В. Прохорович. ФТП, 10, 1097 (1976)
  22. Н.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков, В.Е. Седов. ФТП, 30, 1123 (1996)
  23. F.C. Rong, W.A. Barry, J.F. Donegan, G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 54, 7779 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.