"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Неустойчивость DX-подобных примесных центров в PbTe(Ga) при отжиге
Долженко Д.Е.1, Демин В.Н.2, Иванчик И.И.1, Хохлов Д.Р.1
1Физический факультет Московского государственного университета, Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 21 марта 2000 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.

Впервые исследована кинетика изменения сопротивления монокристаллов PbTe(Ga) с уровнем Ферми, изначально стабилизированным внутри запрещенной зоны, при их отжиге при температурах до 400oC. Показано, что отжиг кристаллов уже в течение нескольких минут при температуре 200-250oC приводит к трансформации полуизолирующего при низких температурах материала в сильно вырожденный полупроводник с концентрацией свободных электронов ~ 1018 см-3, т. е. к распаду DX-подобных примесных центров, определяющих эффект стабилизации уровня Ферми внутри запрещенной зоны в PbTe(Ga). Определена энергия активации, соответствующая этому процессу. При высокотемпературном отжиге при температуре порядка 400oC имеется тенденция к частичному восстановлению полуизолирующих свойств.
  1. B.A. Akimov, A.V. Dmitriev, D.R. Khokhlov, L.I. Ryabova. Phys. St. Sol. ( a), 137, 9 (1993)
  2. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, А.М. Гаськов, В.П. Зломанов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. ФТП, 17, 87 (1983)
  3. А.И. Белогорохов, И.И. Иванчик, С.В. Пономарев, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 63, 342 (1996)
  4. Б.А. Акимов, Н.Б. Брандт, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов, С.М. Чудинов, О.Б. Яценко. Письма ЖЭТФ, 31, 304 (1980)
  5. Г.С. Бушмарина, Б.Ф. Грузинов, И.А. Драбкин, Е.Я. Лев, Н.В. Нельсон. ФТП, 11, 1874 (1977)
  6. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич. УФН, 145, 51 (1985)
  7. А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, Н.А. Костылева, Р.Б. Мельник, Ю.И. Уханов. ФТП, 7, 928 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.