Влияние дозы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si : Er : O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода
Соболев Н.А.1, Емельянов А.М.1, Николаев Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Исследованы характеристики Si : Er : O-светодиодных структур, изготовленных методом ионной имплантации на (111)-ориентированных монокристаллических подложках кремния и работающих в режимах как лавинного, так и туннельного пробоя p-n-перехода. Интенсивность электролюминесценции ионов Er3+ немонотонно зависит от концентрации введенных ионов редкоземельного элемента. В некоторых туннельных диодах обнаружен эффект возгорания интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ при увеличении температуры.
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo. Appl. Phys. Lett., 69, 2077 (1996)
- S. Coffa, G. Franzo, F. Priolo, A. Pacelli, A. Lacita. Appl. Phys. Lett., 73, 93 (1998)
- A.M. Emel'yanov, N.A. Sobolev, A.N. Yakimenko. Appl. Phys. Lett., 72, 1223 (1998)
- N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, S.V. Gastev, P.E. Khakuashev, Yu.A. Nikolaev, M.A. Trishenkov. MRS Symp. Proc., 486, 139 (1998)
- N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. Luminecs, 80, 315 (1999)
- О.В. Александров, Ю.А. Николаев, Н.А. Соболев. ФТП, 34, 3 (2000)
- С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. [Пер с англ. под ред. Р.А. Суриса (М., Мир, 1984)]
- J. Bude, N. Sano, A.Yoshii. Phys. Rev. B, 45, 5848 (1992)
- G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A.Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
- N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 1930 (1997)
- Н.А. Соболев, А.М. Емельянов, Ю.А. Николаев, В.И. Вдовин. ФТП, 33, 660 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.