"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптическая бистабильность и неустойчивость в полупроводнике при температурной зависимости времени релаксации свободных носителей заряда и их равновесной концентрации
Бондаренко О.С.1, Лысак Т.М.1, Трофимов В.А.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Рассматривается влияние температурной зависимости времени релаксации свободных электронов и их равновесной концентрации на реализацию оптической бистабильности и неустойчивость стационарных состояний. Рассмотрение проводится в рамках модели, описывающей процесс взаимодействия оптического излучения с полупроводником, при различных предположениях относительно условий этого взаимодействия.
  1. Х. Гиббс. Оптическая бистабильность управления светом с помощью света (М., Мир, 1988)
  2. Оптические вычисления, под ред. Р. Арратуна (М., Мир, 1993)
  3. Н.Н. Розанов. Оптическая бистабильность и гистерезис в распределенных нелинейных системах (М., Наука, 1997)
  4. Колебания и бегущие волны в химических системах, под ред. Р. Филда, М. Бургера (М., Мир, 1988)
  5. O.S. Bondarenko, V.A. Trofimov et al. BRAS. Physics/Suppl. Physics of Vibrations, 50 (1), 21 (1995)
  6. О.С. Бондаренко, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. ФТТ, 36 (1), 152 (1994)
  7. О.С. Бондаренко, В.А. Трофимов. ДАН, 364 (5), 1 (1999)
  8. Р. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  9. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  10. Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. Письма ЖТФ, 18 (24), 38 (1992)
  11. Ю.Н. Карамзин, С.В. Поляков, В.А. Трофимов. Препринт ИПМ им. М.В. Келдыша АН СССР, N 62 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.