Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS
Васильев Л.Н.1, Каминский В.В.1, Соловьев С.М.1, Шаренкова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Исследовано влияние gamma-облучения на электрические свойства тонких поликристаллических пленок моносульфида самария с различными параметрами кристаллической решетки. Стабильность удельного сопротивления пленок при экспозиционных дозах облучения в интервале D= 108-109 Р объясняется существованием канала релаксации радиационных возбуждений, связанного с наличием разновалентных ионов самария (Sm2+, Sm3+).
- В.В. Каминский, Л.Н. Васильев, Е.Д. Горнушкина, С.М. Соловьев, Г.А. Сосова, Н.М. Володин. ФТП, 29 (2), 306 (1995)
- В.В. Каминский, Н.М. Володин, Т.Б. Жукова, М.В. Романова, Г.А. Сосова. ФТТ, 33 (1), 187 (1991)
- С.В. Погарев, И.Н. Куликова, Е.В. Гончарова, М.В. Романова, Л.Д. Финкильштейн, Н.Н. Ефремова, Т.Б. Жукова, К.Г. Гарцман, И.А. Смирнов. ФТТ, 23 (2), 434 (1981)
- С.М. Бреховских, Ю.Н. Викторова, Л.М. Ланда. Радиационные эффекты в стеклах (М., Энергоиздат, 1982)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
