"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм высокой радиационной стойкости электрических параметров тонких пленок SmS
Васильев Л.Н.1, Каминский В.В.1, Соловьев С.М.1, Шаренкова Н.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследовано влияние gamma-облучения на электрические свойства тонких поликристаллических пленок моносульфида самария с различными параметрами кристаллической решетки. Стабильность удельного сопротивления пленок при экспозиционных дозах облучения в интервале D= 108-109 Р объясняется существованием канала релаксации радиационных возбуждений, связанного с наличием разновалентных ионов самария (Sm2+, Sm3+).
  1. В.В. Каминский, Л.Н. Васильев, Е.Д. Горнушкина, С.М. Соловьев, Г.А. Сосова, Н.М. Володин. ФТП, 29 (2), 306 (1995)
  2. В.В. Каминский, Н.М. Володин, Т.Б. Жукова, М.В. Романова, Г.А. Сосова. ФТТ, 33 (1), 187 (1991)
  3. С.В. Погарев, И.Н. Куликова, Е.В. Гончарова, М.В. Романова, Л.Д. Финкильштейн, Н.Н. Ефремова, Т.Б. Жукова, К.Г. Гарцман, И.А. Смирнов. ФТТ, 23 (2), 434 (1981)
  4. С.М. Бреховских, Ю.Н. Викторова, Л.М. Ланда. Радиационные эффекты в стеклах (М., Энергоиздат, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.