Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл--диэлектрик
Будзуляк С.И.1, Венгер Е.Ф.1, Доценко Ю.П.1, Ермаков В.Н.1, Коломоец В.В.1, Мачулин В.Ф.1, Панасюк Л.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Исследована ударная ионизация локализованных состояний электрона на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл-диэлектрик в кристаллах Si(P) и Ge(Sb) при концентрациях доноров, значительно превышающих критическую концентрацию перехода, реализуемого за счет изменения концентрации примеси. Получены зависимости энергии активации и поля ударной ионизации от одноосного давления. Переход от металлической проводимости к varepsilon2-проводимости в области больших одноосных давлений обсуждается на основе перестройки энергетического спектра зоны проводимости при определенных направлениях оси деформации в кристаллах кремния и германия.
- M.A. Paalanen, T.F. Rosenbaum, G.A. Thomas, R.N. Bhatt. Phys. Rev. Lett., 48, 1284 (1982)
- V.V. Baidakov, V.N. Ermakov, A.E. Gorin, V.V. Kolomoets, N.V. Stuchinska, V.A. Shenderovskii, D.P. Tunstall. Phys. St. Sol. (b), 198, 149 (1996)
- V.N. Ermakov, V.V. Kolomoets, L.T. Panasjuk, V.E. Rodionov. Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond. (Thessaloniki, 1990) v. 3, p. 1803
- P.I. Baranskii, V.V. Kolomoets, S.S. Korolyuk. Phys. St. Sol. (b), 116, K109 (1983)
- В.В. Байдаков, Н.Н. Григорьев, В.Н. Ермаков, В.В. Коломоец, Т.А. Кудыкина. ФТП, 17, 370 (1983)
- T.F. Rosenbaum, K. Andres, G.A. Thomas, R.N. Bhatt. Phys. Rev. Lett., 45, 1723 (1980)
- Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., 1972)
- C. Yamanouchi, K. Mizuguchi, W. Sasaki. J. Phys. Soc. Japan, 22, 859 (1967)
- P. Dai, Y. Zhang, M.P. Sarachik. Phys. Rev. B, 45, 3984 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
