Вышедшие номера
Пробой мелких доноров в Si и Ge на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл--диэлектрик
Будзуляк С.И.1, Венгер Е.Ф.1, Доценко Ю.П.1, Ермаков В.Н.1, Коломоец В.В.1, Мачулин В.Ф.1, Панасюк Л.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 августа 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследована ударная ионизация локализованных состояний электрона на диэлектрической стороне деформационно-индуцируемого перехода металл-диэлектрик в кристаллах Si(P) и Ge(Sb) при концентрациях доноров, значительно превышающих критическую концентрацию перехода, реализуемого за счет изменения концентрации примеси. Получены зависимости энергии активации и поля ударной ионизации от одноосного давления. Переход от металлической проводимости к varepsilon2-проводимости в области больших одноосных давлений обсуждается на основе перестройки энергетического спектра зоны проводимости при определенных направлениях оси деформации в кристаллах кремния и германия.