"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Радиационные дефекты в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ
Лебедев А.А.1, Вейнгер А.И.1, Давыдов Д.В.1, Козловский В.В.2, Савкина Н.С.1, Стрельчук А.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Емкостными методами и методом электронного парамагнитного резонанса проведено исследование глубоких центров, образующихся в n-4H-SiC, облученном протонами с энергией 8 МэВ. В качестве образцов были исследованы диоды Шоттки и p-n-структуры на слоях, изготовленных как методом сублимационной эпитаксии, так и коммерчески выпускаемых CREE Inc (США). Обнаружено, что тип вводимых облучением центров не зависит от технологии изготовления материала и от вида заряженных частиц. На основе данных по отжигу дефектов и данных электронного парамагнитного резонанса сделаны предположения о возможной структуре образовавшихся центров.
  1. В.В. Козловский, В.А. Козлов, В.Н. Ломасов. ФТП, 34, 129 (2000)
  2. А.А. Лебедев, В.И. Вейнгер, Д.В. Давыдов, В.В. Козловский, Н.С. Савкина, А.М. Стрельчук. ФТП (в печати)
  3. J.W. Palmor, J.A. Edmond, H.S. Kong, C.H. Carter, Jr. Physica B, 185, 461 (1993)
  4. N.S. Savkina, A.A. Lebedev, D.V. Davydov, A.M. Strel'chuk, A.S. Tregubova, M.A. Yagovkina. Mater. Sci. Eng. B, 61--62, 165 (1999)
  5. Радиационные процессы в технологии материалов и изделий электронной техники, под ред. В.С. Иванова, В.В. Козловского (М., Энергоатомиздат, 1997)
  6. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев. ФТП, 16, 1874 (1982)
  7. D.C. Look, J.P. Sizelove. J. Appl. Phys., 62, 3660 (1987)
  8. T. Dalibor, G. Pensl, H. Matsunami, T. Kimoto, W.J. Choyke, A. Schoner, N. Nordel. Phys. St. Sol. (a), 162, 199 (1997)
  9. J.P. Doyle, M.O. Aboelfotoh, B.G. Svensson et al. Diamond and Rel. Mater., 6, 1388 (1977)
  10. W.C. Michel, A. Saxler, R. Perrin et al. Abstracts of International Conference on SiC and related Materials (Raleigh, NC, USA, Oct. 10--15, 1999) Abstact No 281
  11. C. Pool. Electron Spin Resonance (J. Wiley \& Sons, N.Y.--London, 1967). [Русск. пер.: Ч. Пул. Техника ЭПР спектроскопии (М., Мир, 1970)]
  12. R.K. Nadela, M.A. Capano. Appl. Phys. Lett., 70, 886 (1997)
  13. W. Puff, P. Mascher, A.G. Balogh, H. Baumann. Mater. Sci. Forum, 258--263, 733 (1997)
  14. А.И. Вейнгер, В.А. Ильин, Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. ФТП, 15, 1557 (1981)
  15. Н.М. Павлов, М.И. Иглицын, М.Г. Косаганова, В.Н. Соломатин. ФТП, 9, 1279 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.