"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кислородсодержащие радиационные дефекты в Si1-xGex
Помозов Ю.В.1, Соснин М.Г.1, Хируненко Л.И.1, Яшник В.И.1, Абросимов Н.В.2,3, Шрёдер В.3, Хёне М.3
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3Институт роста кристаллов, Д- Берлин, Германия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Исследуется процесс образования и отжига радиационных дефектов в образцах Si1-xGex, облученных быстрыми электронами с энергией 4 МэВ. Показано, что в области концентраций германия 3.5-15 ат% наблюдается снижение эффективности образования кислородсодержащих дефектов (VO и VO2) по сравнению с кремнием. Обнаружено существование 3 типов VO-центров в Si1-xGex, невозмущенных и возмущенных близлежащими атомами Ge.
  1. M. Gluck, J. Hersener, H.G. Umbach, J. Rappich, J. Stein. Sol. St. Phenomena, 57--58, 413 (1997)
  2. J. Lennart Lindstrom, Bengt G. Svensson. Matter. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 45 (1986)
  3. Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. Lett., 60A, 55 (1977)
  4. G. Davies, E.C. Lightowlers, R.C. Newman, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
  5. B. Pajot. Semicond. Semimet., 42, 191 (1994)
  6. H. Yamada-Kaneta, C. Kateta, T. Ogawa. Phys. Rev. B, 47, 9338 (1993)
  7. L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, V.I. Shakhovtsov, V.V. Shumov. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1773 (1997)
  8. L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, V.I. Shakhovtsov, V.V. Shumov. Sol. St. Phenomena, 57--58, 183 (1997)
  9. D. Wauters, P. Clauws. Mater. Sci. Forum, 258--263, 103 (1997)
  10. E. Hild, P. Gaworzewski, M. Franz, K. Pressel. Appl. Phys. Lett., 72, 1362 (1998)
  11. L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, V.K. Shinkarenko. Physica B, 273--274, 317 (1999)
  12. N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth. 166, 657 (1996)
  13. N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
  14. Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987)
  15. L.I. Khirunenko, V.I. Shakhovtsov, V.V. Shumov, V.I. Yashnik. Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publishers, 1996) p. 403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.