Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кислородсодержащие радиационные дефекты в Si_1-xGe_x

Помозов Ю.В.¹, Соснин М.Г.¹, Хируненко Л.И.¹, Яшник В.И.¹, Абросимов Н.В.^2,3, Шрёдер В.³, Хёне М.³

¹Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Institute of Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

²Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

³Институт роста кристаллов, Д- Берлин, Германия

Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

PDF версия

Исследуется процесс образования и отжига радиационных дефектов в образцах Si_1-xGe_x, облученных быстрыми электронами с энергией 4 МэВ. Показано, что в области концентраций германия 3.5-15 ат% наблюдается снижение эффективности образования кислородсодержащих дефектов (VO и VO₂) по сравнению с кремнием. Обнаружено существование 3 типов VO-центров в Si_1-xGe_x, невозмущенных и возмущенных близлежащими атомами Ge.

M. Gluck, J. Hersener, H.G. Umbach, J. Rappich, J. Stein. Sol. St. Phenomena, 57--58, 413 (1997)
J. Lennart Lindstrom, Bengt G. Svensson. Matter. Res. Soc. Symp. Proc., 59, 45 (1986)
Y.H. Lee, J.C. Corelli, J.W. Corbett. Phys. Lett., 60A, 55 (1977)
G. Davies, E.C. Lightowlers, R.C. Newman, A.S. Oates. Semicond. Sci. Technol., 2, 524 (1987)
B. Pajot. Semicond. Semimet., 42, 191 (1994)
H. Yamada-Kaneta, C. Kateta, T. Ogawa. Phys. Rev. B, 47, 9338 (1993)
L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, V.I. Shakhovtsov, V.V. Shumov. Mater. Sci. Forum, 258--263, 1773 (1997)
L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, V.I. Shakhovtsov, V.V. Shumov. Sol. St. Phenomena, 57--58, 183 (1997)
D. Wauters, P. Clauws. Mater. Sci. Forum, 258--263, 103 (1997)
E. Hild, P. Gaworzewski, M. Franz, K. Pressel. Appl. Phys. Lett., 72, 1362 (1998)
L.I. Khirunenko, Yu.V. Pomozov, M.G. Sosnin, V.K. Shinkarenko. Physica B, 273--274, 317 (1999)
N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth. 166, 657 (1996)
N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
Л.И. Хируненко, В.И. Шаховцов, В.К. Шинкаренко, Л.И. Шпинар, И.И. Ясковец. ФТП, 21, 562 (1987)
L.I. Khirunenko, V.I. Shakhovtsov, V.V. Shumov, V.I. Yashnik. Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon (Dordrecht--Boston--London, Kluwer Academic Publishers, 1996) p. 403

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель