"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дальнодействующее влияние ионного облучения, химического травления и механической шлифовки на релаксацию твердого раствора железа в фосфиде галлия
Демидов Е.С.1, Громогласова А.Б.1, Кaрзанов В.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Методом электронного парамагнитного резонанса непосредственно исследовалось влияние внешних воздействий на дефектную систему неоднородно легированных железом кристаллов фосфида галлия. Замещающие галлий ионы Fes3+(Ga) (A-центры) и межузельные атомы Fei0 (B-центры) рассматриваются в качестве индикаторов и участников перестройки дефектной системы кристалла. Обнаружено дальнодействующее влияние ионного облучения аргоном, химического травления или механической шлифовки на A- и B-центры. Эффект дальнодействия объясняется пластической деформацией кристалла GaP : Fe и взаимодействием дислокаций с A- и B-центрами при модификации кристалла ионным облучением или удалением с одной стороны вызывающего механические напряжения слоя, насыщенного Fes3+(Ga)-центрами. В случае ионного облучения, по-видимому, важна роль упругих волн, генерируемых в зоне торможения ионов аргона и взаимодействующих с B-центрами и дислокациями.
  1. В.Ф. Мастеров, С.И. Марков, Л.П. Пасечник, В.К. Соболевский. ФТП, 17, 1130 (1983)
  2. Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. ФТП, 19, 1629 (1985)
  3. Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, А.Б. Громогласова, О.Н. Морозкин. ФТП, 33, 385 (1999)
  4. П.В. Павлов, Е.С. Демидов, Г.В. Зорина. ФТП, 21, 984 (1987)
  5. Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, П.В. Павлов. ФТП, 23, 548 (1989)
  6. В.В. Карзанов, П.В. Павлов, Е.С. Демидов. ФТП, 23, 2064 (1989)
  7. Е.С. Демидов. Автореф. докт. дис. (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1994)
  8. Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. Завод. лаб., 47, 42 (1981)
  9. Е.С. Демидов, А.А. Ежевский, В.В. Карзанов. ФТП, 17, 661 (1983)
  10. Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1982)
  11. П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. Физика твердого тела (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1993)
  12. И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
  13. Т.А. Куземченко. Автореф. канд. дис. (М., ИОФ АН СССР, 1989)
  14. В.В. Карзанов, К.А. Марков, С.Ю. Зубков, Д.О. Филатов, Г.А. Максимов, Е.С. Демидов. Матер. Всеросс. совещ. "Зондовая микроскопия-99" (Н. Новгород, 1999) с. 185
  15. N.N. Pribylov, A.I. Spirin, S.I. Rembeza, V.I. Kirillov. Phys. St. Sol. (a), 172, 177 (1999)
  16. Ф.С. Шишияну, В.Г. Георгиу. ФТП, 10, 2188 (1976)
  17. Е.С. Демидов. ФТТ, 34, 37 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.