Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Дальнодействующее влияние ионного облучения, химического травления и механической шлифовки на релаксацию твердого раствора железа в фосфиде галлия
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
Поступила в редакцию: 25 февраля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Методом электронного парамагнитного резонанса непосредственно исследовалось влияние внешних воздействий на дефектную систему неоднородно легированных железом кристаллов фосфида галлия. Замещающие галлий ионы Fes3+(Ga) (A-центры) и межузельные атомы Fei0 (B-центры) рассматриваются в качестве индикаторов и участников перестройки дефектной системы кристалла. Обнаружено дальнодействующее влияние ионного облучения аргоном, химического травления или механической шлифовки на A- и B-центры. Эффект дальнодействия объясняется пластической деформацией кристалла GaP : Fe и взаимодействием дислокаций с A- и B-центрами при модификации кристалла ионным облучением или удалением с одной стороны вызывающего механические напряжения слоя, насыщенного Fes3+(Ga)-центрами. В случае ионного облучения, по-видимому, важна роль упругих волн, генерируемых в зоне торможения ионов аргона и взаимодействующих с B-центрами и дислокациями.
- В.Ф. Мастеров, С.И. Марков, Л.П. Пасечник, В.К. Соболевский. ФТП, 17, 1130 (1983)
- Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. ФТП, 19, 1629 (1985)
- Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, А.Б. Громогласова, О.Н. Морозкин. ФТП, 33, 385 (1999)
- П.В. Павлов, Е.С. Демидов, Г.В. Зорина. ФТП, 21, 984 (1987)
- Е.С. Демидов, В.В. Карзанов, П.В. Павлов. ФТП, 23, 548 (1989)
- В.В. Карзанов, П.В. Павлов, Е.С. Демидов. ФТП, 23, 2064 (1989)
- Е.С. Демидов. Автореф. докт. дис. (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1994)
- Е.С. Демидов, А.А. Ежевский. Завод. лаб., 47, 42 (1981)
- Е.С. Демидов, А.А. Ежевский, В.В. Карзанов. ФТП, 17, 661 (1983)
- Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников (М., Высш. шк., 1982)
- П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. Физика твердого тела (Н. Новгород, Изд-во ННГУ, 1993)
- И.А. Аброян, А.Н. Андронов, А.И. Титов. Физические основы электронной и ионной технологии (М., Высш. шк., 1984)
- Т.А. Куземченко. Автореф. канд. дис. (М., ИОФ АН СССР, 1989)
- В.В. Карзанов, К.А. Марков, С.Ю. Зубков, Д.О. Филатов, Г.А. Максимов, Е.С. Демидов. Матер. Всеросс. совещ. "Зондовая микроскопия-99" (Н. Новгород, 1999) с. 185
- N.N. Pribylov, A.I. Spirin, S.I. Rembeza, V.I. Kirillov. Phys. St. Sol. (a), 172, 177 (1999)
- Ф.С. Шишияну, В.Г. Георгиу. ФТП, 10, 2188 (1976)
- Е.С. Демидов. ФТТ, 34, 37 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
