"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в p-n-переходах на основе HgMnTe
Косяченко Л.А.1, Остапов С.Э.1, Вейгуа Сун2
1Черновицкий университет, Черновцы, Украина
2Институт оптоэлектроники, п / я 030, Лоян, Хэнань, КНР
Поступила в редакцию: 12 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Сообщаются новые экспериментальные результаты по переносу заряда в p-n-переходах на основе Hg1-xMnxTe (x~0.11). Наблюдаемые характеристики объясняются в рамках теории Саа-Нойса-Шокли с учетом особенностей рекомбинации носителей в узкозонном полупроводнике.
  1. A. Rogalski. Infr. Phys., 28, 139 (1988)
  2. A. Rogalski, J. Rutkowski. Infr. Phys., 29, 887 (1989)
  3. P. Brogowski, M. Mucha, J. Piotrowski. Phys. St. Sol., 114, K37 (1989)
  4. K.A. Kosyachenko, I.M. Rarenko, O.O. Bodnaruk, Sun Weiguo, Lu Zheng Xiong. Sci. Bull. Chernovtsy University. Physics, 40, 59 (1998)
  5. Л.А. Косяченко, И.М. Раренко, О.А. Боднарук, Сун Вейгуа. ФТП, 33, 1438 (1999)
  6. L.O. Budulac. J. Cryst. Growth, 86, 723 (1988)
  7. C. Sah, R. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  8. L.A. Kosyachenko, V.P. Makhniy, I.V. Potykevich. Ukr. Phys. J., 23, 279 (1978)
  9. A. Rogalski. Infr. Phys., 31, 117 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.