Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние защитных пленок SiO2 на диффузию атомарного водорода при гидрогенизации эпитаксиального n-GaAs
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия 
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
С использованием методов атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследован рельеф поверхности пленок SiO2 и их влияние на диффузию атомарного водорода в глубь полупроводника в процессе гидрогенизации. Показано, что при нанесении слоя диэлектрика на его поверхности образуются меза-структуры, проявляющиеся в виде гофрировки поверхности. Последнее обусловливает увеличение количества водорода, проникающего в глубь полупроводника в процессе гирдрогенизации. Нанесение пленки диэлектрика на поверхность полупроводника приводит к реконструкции поверхности n-GaAs, заключающейся в образовании квазипериодического рельефа. Обработка в атомарном водороде поверхности n-GaAs, покрытой защитной пленкой SiO2, приводит к изменению рельефа поверхности эпитаксиального слоя.
- A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
- U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
- S.J. Pearton. J. Electron. Mater., 14a, 737 (1985)
- В.Л. Гуртовой, В.В. Дремов, В.А. Макаренко и др. ФТП, 29, 1888 (1995)
- J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
- J.A. Schafer, V. Persch, S. Stock, Th. Allihger, A. Goldmann. Europhys. Lett., 12, 563 (1990)
- S. Balasubramanian, V. Kumar, N. Balasubramanian. J. Appl. Phys., 74, 4521 (1993)
- В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32, 1343 (1998)
- П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина. Микроэлектроника. 26, 426 (1997)
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
- K. Suda, T. Hattory. Surf. Sci., 168, 652 (1986)
- З.Ю. Готра. Справочник по технологии микроэлектронных устройств (Львов, Каменяр, 1986)
- С.А. Литвиненко, В.Г. Литовченко, В.И. Соколов, В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, N 9 (Киев, Наук. думка, 1985) с. 39
- Л.В. Храмова, Т.П. Смирнова, Е.Г. Еремина. Неорг. матер., 28, 1662 (1992)
- Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 33, 1209 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
