"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние защитных пленок SiO2 на диффузию атомарного водорода при гидрогенизации эпитаксиального n-GaAs
Панин А.В.1, Торхов Н.А.2
1Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
2Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

С использованием методов атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследован рельеф поверхности пленок SiO2 и их влияние на диффузию атомарного водорода в глубь полупроводника в процессе гидрогенизации. Показано, что при нанесении слоя диэлектрика на его поверхности образуются меза-структуры, проявляющиеся в виде гофрировки поверхности. Последнее обусловливает увеличение количества водорода, проникающего в глубь полупроводника в процессе гирдрогенизации. Нанесение пленки диэлектрика на поверхность полупроводника приводит к реконструкции поверхности n-GaAs, заключающейся в образовании квазипериодического рельефа. Обработка в атомарном водороде поверхности n-GaAs, покрытой защитной пленкой SiO2, приводит к изменению рельефа поверхности эпитаксиального слоя.
  1. A. Paccagnella, A. Callegari, E. Latta, M. Gasser. Appl. Phys. Lett., 55, 259 (1989)
  2. U.K. Chakrabarti, S.J. Pearton, W.S. Hobson, J. Lopata, V. Swaminathan. Appl. Phys. Lett., 57, 887 (1990)
  3. S.J. Pearton. J. Electron. Mater., 14a, 737 (1985)
  4. В.Л. Гуртовой, В.В. Дремов, В.А. Макаренко и др. ФТП, 29, 1888 (1995)
  5. J. Chevallier, M. Aucouturier. Ann. Rev. Mater. Sci., 18, 219 (1988)
  6. J.A. Schafer, V. Persch, S. Stock, Th. Allihger, A. Goldmann. Europhys. Lett., 12, 563 (1990)
  7. S. Balasubramanian, V. Kumar, N. Balasubramanian. J. Appl. Phys., 74, 4521 (1993)
  8. В.Г. Божков, В.А. Кагадей, Н.А. Торхов. ФТП, 32, 1343 (1998)
  9. П.А. Арутюнов, А.Л. Толстихина. Микроэлектроника. 26, 426 (1997)
  10. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и на его поверхности (М., Наука, 1990)
  11. K. Suda, T. Hattory. Surf. Sci., 168, 652 (1986)
  12. З.Ю. Готра. Справочник по технологии микроэлектронных устройств (Львов, Каменяр, 1986)
  13. С.А. Литвиненко, В.Г. Литовченко, В.И. Соколов, В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, N 9 (Киев, Наук. думка, 1985) с. 39
  14. Л.В. Храмова, Т.П. Смирнова, Е.Г. Еремина. Неорг. матер., 28, 1662 (1992)
  15. Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 33, 1209 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.