"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О критической скорости роста напряжения при запуске сверхбыстрого фронта ударной ионизации в диодной структуре
Минарский А.М.1, Родин П.Б.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 4 октября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Дана оценка порогового значения скорости роста напряжения на обратно смещенной диодной структуре, необходимого для возбуждения в ней фронта ударной ионизации, распространяющегося с большей скоростью, чем насыщенные дрейфовые скорости носителей.
  1. И.В. Грехов, А.Ф. Кардо-Сысоев. Письма ЖТФ, 5, 950 (1979)
  2. В.М. Тучкевич, И.В. Грехов. Новые методы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами (Л., Наука, 1988)
  3. I.V. Grekhov. Sol. St. Electron., 32, 923 (1989)
  4. L.B. Loeb. Science, 148, 1417 (1965)
  5. Н.Г. Басов, А.Г. Молчанов, А.С. Насибов, А.З. Обидин, А.И. Печенов, Ю.М. Попов. ЖЭТФ, 70, 1751 (1976)
  6. S.K. Dhali, P.F. Willams. J. Appl. Phys., 62, 4696 (1987)
  7. М.И. Дьяконов, В.Ю. Кочаровский. ЖЭТФ, 94, 321 (1988)
  8. R.J. Focia, E. Schamiloglu, C.B. Fleddermann, F.J. Agee, J. Gaudet. IEEE Trans. Plasma Sci., 25, 138 (1997)
  9. Ю.Д. Биленко, М.Е. Левиштейн, М.В. Попова, В.С. Юферев. ФТП, 17, 1812 (1983)
  10. А.Ф. Кардо-Сысоев, М.В. Попова. ФТП, 30, 803 (1996)
  11. А.М. Минарский, П.Б. Родин. ФТП, 31, 366 (1997)
  12. A.M. Minarsky, P.B. Rodin. Sol. St. Electron., 41, 813 (1997)
  13. H. Jalali, R. Joshi, J.A. Gaudet. IEEE Trans. El. Dev., 45, 1761 (1998)
  14. С.Н. Вайнштейн, Ю.В. Жиляев, М.Е. Левинштейн. Письма ЖТФ, 14, 1562 (1989)
  15. V.S. Deloach, D.L. Scharfetter. IEEE Trans. El. Dev., ED-20, 9 (1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.