"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения
Магомедов М.-Р.А.1, Исмаилов Ш.М.1, Магомедова Дж.Х.1, Хохлачев П.П.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.

Осаждением пленок CuInSe2 на подложки CdS в квазизамкнутом реакторе с "горячими стенками" получены p-n-гетероструктуры CuInSe2 / CdS. Исследованы термоэдс, вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетероструктур.
  1. В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.В. Бондарь, В.Ф. Гременюк. ФТП, 32 (4), 32 (1998)
  2. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988) с. 307
  3. М.А. Магомедов, Ю.В. Рудь. ФТП, 27 (2), 245 (1993)
  4. М.-Р.А. Магомедов, Дж.Х. Амирханова, Ш.М. Исмаилов, П.П. Хохлачев, Р.С. Зубайруев. ЖТФ, 67 (3), 34 (1997)
  5. M.-R.A. Magomedov, J.Kh. Amirchanova, Sh.M. Ismailov, P.P. Khokhlachev. ATPC, Proc. 4th Asian Thermophysical Properties Conf. (Tokyo, 1995) A1 d3, p. 55
  6. М.А. Абдуллаев, Р.М. Гаджиева, Дж.Х. Магомедова, П.П. Хохлачев. Изв. РАН. Неорг. матер., 33 (3), 411 (1997)
  7. И.И. Балмуш, З.И. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 144
  8. S.-H. Wei, A. Zunqer. Appl. Phys. Lett., 63, 2549 (1993)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.