Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения
Магомедов М.-Р.А.1, Исмаилов Ш.М.1, Магомедова Дж.Х.1, Хохлачев П.П.1
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Осаждением пленок CuInSe2 на подложки CdS в квазизамкнутом реакторе с "горячими стенками" получены p-n-гетероструктуры CuInSe2 / CdS. Исследованы термоэдс, вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетероструктур.
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.В. Бондарь, В.Ф. Гременюк. ФТП, 32 (4), 32 (1998)
- Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988) с. 307
- М.А. Магомедов, Ю.В. Рудь. ФТП, 27 (2), 245 (1993)
- М.-Р.А. Магомедов, Дж.Х. Амирханова, Ш.М. Исмаилов, П.П. Хохлачев, Р.С. Зубайруев. ЖТФ, 67 (3), 34 (1997)
- M.-R.A. Magomedov, J.Kh. Amirchanova, Sh.M. Ismailov, P.P. Khokhlachev. ATPC, Proc. 4th Asian Thermophysical Properties Conf. (Tokyo, 1995) A1 d3, p. 55
- М.А. Абдуллаев, Р.М. Гаджиева, Дж.Х. Магомедова, П.П. Хохлачев. Изв. РАН. Неорг. матер., 33 (3), 411 (1997)
- И.И. Балмуш, З.И. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 144
- S.-H. Wei, A. Zunqer. Appl. Phys. Lett., 63, 2549 (1993)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
