Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур CuInSe2/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия 
Поступила в редакцию: 18 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
Осаждением пленок CuInSe2 на подложки CdS в квазизамкнутом реакторе с "горячими стенками" получены p-n-гетероструктуры CuInSe2 / CdS. Исследованы термоэдс, вольт-амперные характеристики и спектры фоточувствительности гетероструктур.
- В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, И.В. Бондарь, В.Ф. Гременюк. ФТП, 32 (4), 32 (1998)
- Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988) с. 307
- М.А. Магомедов, Ю.В. Рудь. ФТП, 27 (2), 245 (1993)
- М.-Р.А. Магомедов, Дж.Х. Амирханова, Ш.М. Исмаилов, П.П. Хохлачев, Р.С. Зубайруев. ЖТФ, 67 (3), 34 (1997)
- M.-R.A. Magomedov, J.Kh. Amirchanova, Sh.M. Ismailov, P.P. Khokhlachev. ATPC, Proc. 4th Asian Thermophysical Properties Conf. (Tokyo, 1995) A1 d3, p. 55
- М.А. Абдуллаев, Р.М. Гаджиева, Дж.Х. Магомедова, П.П. Хохлачев. Изв. РАН. Неорг. матер., 33 (3), 411 (1997)
- И.И. Балмуш, З.И. Дашевский, А.И. Касиян. Термоэлектрические эффекты в многослойных полупроводниковых структурах (Кишинев, Штиинца, 1992) с. 144
- S.-H. Wei, A. Zunqer. Appl. Phys. Lett., 63, 2549 (1993)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
