Вышедшие номера
Изменение структуры дефектов в монокристаллах p-CdTe при прохождении лазерной ударной волны
Байдуллаева А.1, Власенко А.И.1, Горковенко Б.Л.1, Ломовцев А.В.1, Мозоль П.Е.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 7 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Исследованы изменения времени жизни неравновесных носителей заряда, спектров фотопроводимости, температурные зависимости темнового тока и фототока высокоомных кристаллов p-CdTe при воздействии лазерной ударной волны. Показано, что изменения вышеуказанных характеристик в процессе воздействия ударной волны обусловлены генерацией неравновесных носителей с глубоких центров, а после ее воздействия - образованием собственных дефектов и их последующим взаимодействием с дефектами, существующими в исходном кристалле.