Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нелинейность акустических эффектов и высокочастотной проводимости в гетероструктурах GaAs/AlGaAs в режиме целочисленного квантового эффекта Холла

Дричко И.Л.¹, Дьяконов А.М.¹, Смирнов И.Ю.¹, Торопов А.И.²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 27 октября 1999 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Измерены нелинейные по интенсивности поверхностной акустической волны коэффициент поглощения энергии волны Gamma и изменение ее скорости Delta V/V, связанные с взаимодействием волны с 2-мерными электронами в гетероструктурах GaAs/AlGaAs. Измерения проводились в режиме целочисленного квантового эффекта Холла, когда 2-мерные электроны локализованы в случайном флуктуационном потенциале примесей. Определены зависимости компонент sigma₁(E) и sigma₂(E) высокочастотной проводимости sigma=sigma₁-isigma₂ от электрического поля поверхностной волны. В области активационной проводимости, где sigma₁>>sigma₂, полученные результаты объясняются теорией нелинейной перколяционной проводимости Шкловского, что дает возможность оценить амплитуду флуктуационного потенциала примесей. Приведены зависимости sigma₁(E) и sigma₂(E) в области прыжковой высокочастотной проводимости, где sigma₁<<sigma₂, теория нелинейностей для которой пока отсутствует.

T.J. Drummond, M. Keever, W. Kopp, K. Hess, B.G. Streetman, A.J. Cho. Electron. Lett., 17, 545 (1981)
J. Shah, A. Pinchuk, H.L. Stormer, A.G. Gossard, W. Weigman. Appl. Phys. Lett., 42, 55 (1983); J. Shah, A. Pinchuk, H.L. Stormer, A.G. Gossard, W. Weigman. Appl. Phys. lett., 44, 322 (1984)
М.Г. Блюмина, А.Г. Денисов, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, А.П. Сеничкин, Ю.В. Шмарцев. Письма ЖЭТФ, 44, 257 (1986). [In transl.: JETP Lett., 44, 331 (1986)]
E. Chow, H.P. Wei, S.M. Girvin, M. Shayegan. Phys. Rev. Lett., 77, 1143 (1986) (и ссылки в этой работе)
P.J. Price. J. Appl. Phys., 53, 6863 (1982); В. Карпус. ФТП, 22, 439 (1988)
И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов. ФТП, 31, 1357 (1997)
G. Ebert, K. von Klitzing, K. Ploog, G. Weimann. J. Phys. C, 16, 5441 (1983); P. Streda, K. von Klitzing. J. Phys. C, 17, L483 (1984)
M.E. Gage, R.F. Dziuba, B.F. Field, E.R. Williams, S.M. Girvin, A.C. Gossard, D.C. Tsui, R.J. Wagner. Phys. Rev. Lett., 51, 1374 (1983)
S. Komiyama, T. Takamasu, S. Hiyamizu, S. Sasa. Sol. St. Commun, 54, 479 (1985)
V.L. Pokrovky, L.P. Pryadko, A.L. Talapov. J. Phys.: Condens. Matter., 2, 1583 (1990)
M. Furlan. Phys. Rev. B, 57, 14 818 (1998) (и ссылки в этой статье)
D.G. Polyakov, B.I. Shklovskii. Phys. Rev. B, 48, 11 167 (1993)
А.М. Крещук, Е.П. Лаурс, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев, Е.М. Семашко. ФТП, 22, 2162 (1988). [In transl.: Sov. Phys. Semicond., 22, 1364 (1988)]
I.L. Drichko, A.M. Diakonov, V.D. Kagan, I. Yu. Smirnov, A.I. Toropov. Proc. 24th Int. Conf. Physics of Semiconductors (Jerusalem, Israel) ed. by D. Gershoni (World Scientific, 1998) CD-ROM
И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, А.М. Крещук, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.Ю. Смирнов, А.В. Суслов. ФТП, 31, 451 (1997). [In transl.: Semiconductors, 31, 384 (1997)]
И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, И.Ю. Смирнов, В.В. Преображенский, А.И. Торопов. ФТП, 33, 979 (1999). [In transl.: Semiconductors, 33, 892 (1999)]
В.Д. Каган. ФТП, 31, 470 (1997)
Б.И. Шкловский. ФТП, 13, 93 (1979)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 89, 1834 (1985) [In transl.: Zh. Eksp. Teor. Fiz., 89, 1057 (1985)]
A.L. Efros, F.G. Pikus, V.G. Barnett. Phys. Rev. B, 47, 2233 (1993)
Ю.М. Гальперин, Э.Я. Приев. ФТТ, 29, 3016 (1987)
A. Wixforth, J. Scriba, M. Wassermeier, J.P. Kotthaus, G. Weimann, W. Schlapp. Phys. Rev. B, 40, 7874 (1989)
A. Schenstrom, M. Levy, B.K. Sarma, H. Morkoc. Sol. St. Commun., 68, 357 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель