Вышедшие номера
Катодолюминесценция и неупругое рассеяние света в эпитаксиальных пленках Ga1-xAlxP
Водопьянов Л.К.1, Козловский В.И.1, Мельник Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Проведено исследование низкотемпературной катодолюминесценции и комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев Ga1-xAlxP в диапазоне 0=< x=<0.8, выращенных жидкофазной эпитаксией на подложках GaP (100). Полученные спектры катодолюминесценции свидетельствуют о нелинейной зависимости ширины непрямой запрещенной зоны от состава Ga1-xAlxP. Эту нелинейность можно описать параболой с параметом прогиба 0.13. Исследования комбинационного рассеяния света показали, что фононный спектр Ga1-xAlxP состоит из одной колебательной моды Al-P и трех мод Ga-P.
  1. F. Issiki, S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 67, 1048 (1995)
  2. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)
  3. H. Sonomura, T. Nanmori, T. Miyauchi. Appl. Phys. Lett., 24, 77 (1974)
  4. С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. Соединения A3B5. Справочник (М., Металлургия, 1984)
  5. G. Lucovsky, R.D. Burnham, A.S. Alimonda. Phys. Rev. B, 14 (6), 2503 (1976)
  6. Б.Х. Байрамов, В.Н. Бессолов, Э. Яне, Ю.П. Яковлев, В.В. Топоров, Ш.Б. Убайдуллаев. Письма ЖТФ, 6 (23), 1432 (1980)
  7. G. Armelles, J.M. Calleja, E. Munoz. Sol. St. Commun., 65 (8), 779 (1988)
  8. А. Берг, П. Дин. Светодиоды (М., Мир, 1979)
  9. R. Loudon. Adv. Phys., 13, 423 (1964)
  10. D. Hon, W. Fost, W.G. Spitzer, F. Williams. Phys. Rev. Lett., 25, 1184 (1970)
  11. С.П. Козырев, В.Н. Пырков, Л.К. Водопьянов. ФТТ, 34 (12), 3695 (1992)
  12. S.P. Kozyrev, L.K. Vodopyanov, R. Triboulet. Phys. Rev. B, 58 (3), 1374 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.