Вышедшие номера
Катодолюминесценция и неупругое рассеяние света в эпитаксиальных пленках Ga1-xAlxP
Водопьянов Л.К.1, Козловский В.И.1, Мельник Н.Н.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Проведено исследование низкотемпературной катодолюминесценции и комбинационного рассеяния света эпитаксиальных слоев Ga1-xAlxP в диапазоне 0=< x=<0.8, выращенных жидкофазной эпитаксией на подложках GaP (100). Полученные спектры катодолюминесценции свидетельствуют о нелинейной зависимости ширины непрямой запрещенной зоны от состава Ga1-xAlxP. Эту нелинейность можно описать параболой с параметом прогиба 0.13. Исследования комбинационного рассеяния света показали, что фононный спектр Ga1-xAlxP состоит из одной колебательной моды Al-P и трех мод Ga-P.