"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Активационная проводимость и переход металл--диэлектрик в примесной зоне легированных кристаллов узкощелевого p-Hg1-xCdxTe
Богобоящий В.В.1, Гасан-заде С.Г.2, Шепельский Г.А.2
1Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

Переход металл-диэлектрик и прыжковая проводимость исследованы в легированных медью кристаллах узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe в широком диапазоне температур, составов x и концентраций примеси. Показано, что в отличие от широкозонных полупроводников характерный размер волновой функции мелкого акцептора, ответственный за прыжковый механизм проводимости, определяется эффективной массой тяжелой, а не легкой дырки. Установлено наличие низкотемпературной varepsilon2-проводимости по делокализованным состояниям положительно заряженных акцепторов вблизи перехода металл-диэлектрик.
  1. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронное свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  3. И.М. Цидильковский. Электронный спектр бесщелевых полупроводников (Свердловск, Урал. рабочий, 1991)
  4. Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ФТП, 5, 2191 (1971)
  5. H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev., 119, 1238 (1960)
  6. Е.М. Гершензон, И.Н. Куриленко, Л.Б. Литвак-Горская. ФТП, 8, 1186 (1974)
  7. Е.М. Гершензон, И.Н. Куриленко, Л.Б. Литвак-Горская. ФТП, 8, 1057 (1974)
  8. H. Fritzsche. Phys. Rev., 99, 408 (1960)
  9. П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
  10. S. Zwerdling, W.H. Kleiner, J.P. Theriault. J. Appl. Phys., 22, 2118 (1961)
  11. D.M.S. Bagguley, M.L.A. Robinson, R.A. Stradling. Phys. Lett., 6, 143 (1963)
  12. G. Dresselhaus, A.F. Kip, C. Kittel, C. Wagoner. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
  13. А.И. Илизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15, 927 (1981)
  14. А.И. Илизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18, 455 (1984)
  15. N.F. Mott. Phil. Mag., 19, 835 (1969)
  16. В.В. Богобоящий, А.И. Илизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафев, В.Н. Северцев. ФТП, 21, 1469 (1987)
  17. V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
  18. Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8, 2377 (1974)
  19. C.K. Shin, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol., B5, 1231 (1987)
  20. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
  21. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.