Активационная проводимость и переход металл--диэлектрик в примесной зоне легированных кристаллов узкощелевого p-Hg1-xCdxTe
Богобоящий В.В.1, Гасан-заде С.Г.2, Шепельский Г.А.2
1Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 8 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Переход металл-диэлектрик и прыжковая проводимость исследованы в легированных медью кристаллах узкощелевого полупроводника p-Hg1-xCdxTe в широком диапазоне температур, составов x и концентраций примеси. Показано, что в отличие от широкозонных полупроводников характерный размер волновой функции мелкого акцептора, ответственный за прыжковый механизм проводимости, определяется эффективной массой тяжелой, а не легкой дырки. Установлено наличие низкотемпературной varepsilon2-проводимости по делокализованным состояниям положительно заряженных акцепторов вблизи перехода металл-диэлектрик.
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронное свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- И.М. Цидильковский. Электронный спектр бесщелевых полупроводников (Свердловск, Урал. рабочий, 1991)
- Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ФТП, 5, 2191 (1971)
- H. Fritzsche, M. Cuevas. Phys. Rev., 119, 1238 (1960)
- Е.М. Гершензон, И.Н. Куриленко, Л.Б. Литвак-Горская. ФТП, 8, 1186 (1974)
- Е.М. Гершензон, И.Н. Куриленко, Л.Б. Литвак-Горская. ФТП, 8, 1057 (1974)
- H. Fritzsche. Phys. Rev., 99, 408 (1960)
- П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника (Киев, Наук. думка, 1975)
- S. Zwerdling, W.H. Kleiner, J.P. Theriault. J. Appl. Phys., 22, 2118 (1961)
- D.M.S. Bagguley, M.L.A. Robinson, R.A. Stradling. Phys. Lett., 6, 143 (1963)
- G. Dresselhaus, A.F. Kip, C. Kittel, C. Wagoner. Phys. Rev., 100, 580 (1955)
- А.И. Илизаров, В.И. Иванов-Омский. ФТП, 15, 927 (1981)
- А.И. Илизаров, В.В. Богобоящий, Н.Н. Берченко. ФТП, 18, 455 (1984)
- N.F. Mott. Phil. Mag., 19, 835 (1969)
- В.В. Богобоящий, А.И. Илизаров, В.А. Петряков, В.И. Стафев, В.Н. Северцев. ФТП, 21, 1469 (1987)
- V.V. Bogoboyashchiy. Proc. SPIE, 3486, 325 (1997)
- Б.Л. Гельмонт, А.Р. Гаджиев, Б.Л. Шкловский, И.С. Шлимак, А.Л. Эфрос. ФТП, 8, 2377 (1974)
- C.K. Shin, W.E. Spicer. J. Vac. Sci. Technol., B5, 1231 (1987)
- А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика. Нерелятивистская теория (М., Наука, 1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук