Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях распада комплексов дефектов в полупроводниках

Бояркина Н.И.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 12 июля 1999 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрены реакции распада комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через добавку изменения энергии электронной подсистемы кристалла (в результате протекания реакции) к энергетическому барьеру реакции. Сравнение теории с экспериментом проводится на примере реакций распада E-центров в облученном кремнии n-типа проводимости, легированном фосфором. Объяснена зависимость температуры стадии изохронного отжига E-центров от концентрации донорной примеси. Первая стадия отжига (T_ann~ 400 K) в низкоомном кремнии обусловлена распадом E-центров и объясняется с привлечением модели вакансии, как двойного акцепторного центра, обладающего отрицательной корреляционной энергией и значениями уровней перезарядки вакансии E_V(0/-)=E_c-0.09 эВ, E_V(-/-)=E_c=-0.39 эВ. Из сопоставления расчетных и экспериментальных данных получено: величина энергии диссоциации E-центра U_a0~ 0.96 эВ, фактор вырождения g^-_E/g⁰_E=1/16.

L.C. Kimerling, H.M. DeAngelis, C.P. Carnes. Phys. Rev. B, 3, 427 (1971)
А.И. Баранов, А.В. Васильев, Л.С. Смирнов. ФТП, 20, 1132 (1986)
А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках (Препринт, Черноголовка, 1985)
G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1954)
M. Hirata, M. Hirata, H. Saito. J. Appl. Phys., 37, 1867 (1966)
A.O. Evwaray. J. Appl. Phys., 48, 1840 (1977)
A.O. Evwaray. Appl. Phys. Lett., 29, 476 (1976)
L.C. Kimerling, C.P. Carnes. J. Appl. Phys., 42, 3548 (1971)
G.A. Baraff, E.O. Kane, M. Shluter. Phys. Rev. B, 21, 5662 (1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель