Участие электронной подсистемы кристалла в реакциях распада комплексов дефектов в полупроводниках
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
Рассмотрены реакции распада комплексов дефектов в полупроводниках. Вклад электронной подсистемы в скорость реакции учитывается через добавку изменения энергии электронной подсистемы кристалла (в результате протекания реакции) к энергетическому барьеру реакции. Сравнение теории с экспериментом проводится на примере реакций распада E-центров в облученном кремнии n-типа проводимости, легированном фосфором. Объяснена зависимость температуры стадии изохронного отжига E-центров от концентрации донорной примеси. Первая стадия отжига (Tann~ 400 K) в низкоомном кремнии обусловлена распадом E-центров и объясняется с привлечением модели вакансии, как двойного акцепторного центра, обладающего отрицательной корреляционной энергией и значениями уровней перезарядки вакансии EV(0/-)=Ec-0.09 эВ, EV(-/-)=Ec=-0.39 эВ. Из сопоставления расчетных и экспериментальных данных получено: величина энергии диссоциации E-центра Ua0~ 0.96 эВ, фактор вырождения g-E/g0E=1/16.
- L.C. Kimerling, H.M. DeAngelis, C.P. Carnes. Phys. Rev. B, 3, 427 (1971)
- А.И. Баранов, А.В. Васильев, Л.С. Смирнов. ФТП, 20, 1132 (1986)
- А.И. Баранов, А.В. Васильев, В.Ф. Кулешов, А.Ф. Вяткин, Л.С. Смирнов. Константы скорости реакций между многозарядными центрами в полупроводниках (Препринт, Черноголовка, 1985)
- G.D. Watkins, J.W. Corbett. Phys. Rev., 134, A1359 (1954)
- M. Hirata, M. Hirata, H. Saito. J. Appl. Phys., 37, 1867 (1966)
- A.O. Evwaray. J. Appl. Phys., 48, 1840 (1977)
- A.O. Evwaray. Appl. Phys. Lett., 29, 476 (1976)
- L.C. Kimerling, C.P. Carnes. J. Appl. Phys., 42, 3548 (1971)
- G.A. Baraff, E.O. Kane, M. Shluter. Phys. Rev. B, 21, 5662 (1980)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
