"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Ширина запрещенной зоны и концентрация собственных носителей в твердых растворах HgCdMnTe и HgCdZnTe
Боднарук О.А.1, Марков А.В.1, Остапов С.Э.1, Раренко И.М.1, Слонецкий А.Ф.1
1Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 27 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.

В работе представлены теоретические и экспериментальные исследования основных зонных параметров четырехкомпонентных твердых растворов HgCdMnTe и HgCdZnTe, в результате которых предлагаются эмпирические формулы для ширины запрещенной зоны и концентрации собственных носителей данных материалов в широком диапазоне температур и составов. Результаты расчетов хорошо согласуются с экспериментальными данными.
  1. A. Sher, A. Chen, W. Spicer, C. Shih. J. Vac. Sci. Technol., A3, 105 (1985)
  2. C.K. Williams, T.H. Glisson, J.R. Hauses, M.A. Littlejohn. J. Electron. Mater., 7, 639 (1978)
  3. S.E. Ostapov, O.A. Bodnaruk, I.N. Gorbatiuk, I.M. Rarenko. School-conf. PPMSS (Chernivtsi, Ruta, 1995) p. 158
  4. G.L. Hansen, J.L. Schmit, T.N. Cusselman. J. Appl. Phys., 53, 7099 (1982)
  5. K. Joswikowski, A. Rogalski. Infr. Phys., 28, 101 (1988)
  6. О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, С.Э. Остапов, И.М. Раренко. ФТП, 26 (3), 468 (1992)
  7. S. Takeyama, S. Narita. J. Phys. Soc. Japan, 55, 274 (1986)
  8. U. Debska, M. Dietl, G. Grabecki, E. Janik, E. Kierzek-Pecold, M. Klimkiewiz. Phys. St. Sol. ( a), 64, 707 (1981)
  9. N.L. Bazhenov, A.M. Andrukhiv, V.I. Ivanov-Omskii. Infr. Phys., 34 (4), 357 (1993)
  10. О.А. Боднарук, И.Н. Горбатюк, С.Э. Остапов, И.М. Раренко, В.П. Шафранюк, С.В. Ничий. Неорг. матер., 31(10), 1347 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.