"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шоттки металл--<аморфный кремний>
Крылов П.Н.1
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Получено выражение для функции распределения носителей заряда по глубоким уровням с учетом эффекта Френкеля-Пула в области объемного заряда, использование которого позволило рассчитать влияние термополевой ионизации на плотность объемного заряда, распределение потенциала в области объемного заряда, квазистатические вольт-фарадные характеристики контакта металл-<аморфный кремний>.
  1. А.А. Андреев, О.А. Голикова, М.М. Казанин, М.М. Мездрогина. ФТП, 13(9), 1859 (1979)
  2. А.К. Джоншер, Р.М. Хилл. Физика тонких пленок, 8, 180 (1978)
  3. J.L. Hartke. J. Appl. Phys., 39, 4871 (1968)
  4. M. Ieda, G. Sawa, S. Kato. J. Appl. Phys., 42, 3737 (1971)
  5. Справочник по специальным функциям, под ред. М. Абрамовица, И. Сигал (М., Наука, 1979)
  6. Аморфные полупроводники, под ред. М. Бродски (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.