Генерация неосновных носителей заряда у поверхности полупроводника при ионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Москва
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.
Численно проанализированы релаксационные сигналы - температурные зависимости тока J(T) и высокочастотной емкости C(T), - возникающие при термостимулированной деполяризации МДП структуры. Учтены как опустошение ионных ловушек, локализованных у границы раздела диэлектрик-полупроводник, так и генерация неосновных носителей заряда через объемный центр в полупроводнике глубиной ED.
- А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
- А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин, А.М. Сумарока. Микроэлектроника, 22, 66 (1993)
- E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology, (N. Y., John Willey \& Sons, 1982)
- Приборы с зарядовой связью под ред. М. Хоувза, Д. Моргана (М., Энергоиздат, 1981)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма в ЖЭТФ, 57, 783 (1993)
- K. Yamashita, M. Iwamoto, T. Hino. Jap. J. Appl. Phys., 20, 1429 (1981)
- M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
- M.L. Reed. Semicond. Sci. Techn., 4, 980 (1989)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, N 8, 933 (1999)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, N 8, 962 (1999)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская. ФТП, 33, N 3, 306 (1999)
- В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO2-M (Новосибирск, Наука, 1981)
- Е.И. Гольдман, А.Н. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
- Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
- А.Г. Ждан, А.М. Клочкова, Ю.В. Маркин. ПТЭ, N 4, 140 (1994)
- А.Г. Ждан, В.Б. Сандомирский, А.Д. Ожередов. ФТП, 2, 11 (1968)
- M.K. Bondry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
- В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, А.И. Минченко, П.С. Сульженко. ФТП, 20, 208 (1986)
- Е.И. Гольдман. ФТП, 27, N 2, 269 (1993)
- В.А. Гердель, В.А. Зимогляд, Н.В. Зыков, В.В. Ракитин. Микроэлектроника, 17, 496 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук