"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Генерация неосновных носителей заряда у поверхности полупроводника при ионной термодеполяризации структур металл--диэлектрик--полупроводник
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Кухарская Н.Ф.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Москва
Поступила в редакцию: 22 апреля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Численно проанализированы релаксационные сигналы - температурные зависимости тока J(T) и высокочастотной емкости C(T), - возникающие при термостимулированной деполяризации МДП структуры. Учтены как опустошение ионных ловушек, локализованных у границы раздела диэлектрик-полупроводник, так и генерация неосновных носителей заряда через объемный центр в полупроводнике глубиной ED.
  1. А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин. ФТП, 28, 756 (1994)
  2. А.Г. Ждан, Ю.В. Маркин, А.М. Сумарока. Микроэлектроника, 22, 66 (1993)
  3. E.R. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) Physics and Technology, (N. Y., John Willey \& Sons, 1982)
  4. Приборы с зарядовой связью под ред. М. Хоувза, Д. Моргана (М., Энергоиздат, 1981)
  5. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  6. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. Письма в ЖЭТФ, 57, 783 (1993)
  7. K. Yamashita, M. Iwamoto, T. Hino. Jap. J. Appl. Phys., 20, 1429 (1981)
  8. M.R. Boudry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 52, 885 (1981)
  9. M.L. Reed. Semicond. Sci. Techn., 4, 980 (1989)
  10. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, N 8, 933 (1999)
  11. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Г.В. Чучева. ФТП, 33, N 8, 962 (1999)
  12. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, Н.Ф. Кухарская. ФТП, 33, N 3, 306 (1999)
  13. В.Н. Вертопрахов, Б.М. Кучумов, Е.Г. Сальман. Строение и свойства структур Si--SiO2-M (Новосибирск, Наука, 1981)
  14. Е.И. Гольдман, А.Н. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  15. Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан. Микроэлектроника, 23, 3 (1994)
  16. А.Г. Ждан, А.М. Клочкова, Ю.В. Маркин. ПТЭ, N 4, 140 (1994)
  17. А.Г. Ждан, В.Б. Сандомирский, А.Д. Ожередов. ФТП, 2, 11 (1968)
  18. M.K. Bondry, J.P. Stagg. J. Appl. Phys., 50, 942 (1979)
  19. В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, А.И. Минченко, П.С. Сульженко. ФТП, 20, 208 (1986)
  20. Е.И. Гольдман. ФТП, 27, N 2, 269 (1993)
  21. В.А. Гердель, В.А. Зимогляд, Н.В. Зыков, В.В. Ракитин. Микроэлектроника, 17, 496 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.