Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние влажности и водорода на токоперенос диодных структур на основе p-InP с палладиевым контактом

Слободчиков С.В.¹, Салихов Х.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 августа 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Методами двухступенчатой технологической операции с холодным травлением, полировкой и электрохимическим осаждением палладия создана диодная структура p-InP-n-In₂O₃-P₂O₅-Pd. Изучен токоперенос в интервале температур 110-300 K, и вольт-амперные характеристики объяснены с учетом туннелирования через барьер, через глубокие центры захвата и межзонного туннелирования. Установлен рост фотоэдс в атмосфере водяных паров и показано, что этот эффект определяется изменением кинетики рекомбинации на связанных состояниях на гетерогранице n-In₂O₃-P₂O₅ вследствие поглощения молекул H₂O в окисле P₂O₅. Фотоэдс растет линейно с концентрацией водяных паров, и релаксация импульса фотоэдс ~1-2 с. Исследована релаксация фотоэдс обратного и прямого тока после действия H₂. Их полученных данных выявлена возможность создания детектора тройного назначения: ближнего инфракрасного излучения, влажности и водорода.

Г.Г. Ковалевская, Л. Кратепа, М.М. Мередов, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. Письма ЖТФ, 15 (12), 55 (1989)
Г.Г. Ковалевская, А.М. Маринова, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 59 (11), 155 (1989)
С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу. Письма ЖТФ, 17 (15), 1 (1991)
Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков. ЖТФ, 63 (2), 185 (1993)
K.M. Geib, C.M. Wilmsen. J. Vac. Sci. Techn., 17, 952 (1980)
J.F. Wager, D.L. Ellsworth, S.M. Goodnick, C.M. Wilmsen. J. Vac. Sci. Tech., 19, 513 (1981)
D.H. Lauglin, C.M. Wilmsen. Appl. Phys. Lett., 37 (10), 815 (1980)
М.М. Мередов, Г.Г. Ковалевская, Е.В. Руссу, С.В. Слободчиков. ФТП, 26 (9), 1590 (1992)
F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
R.L. Weiher. J. Appl. Phys., 33, 2834 (1962)
Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, С.В. Слободчиков, В.М. Фетисова. ФТП, 26 (10), 1750 (1992)
С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. Письма ЖТФ, 21 (19), 50 (1995)
G.J. Hughes, T.P. Humphreys, V. Montgomery, R.N. Williams. Vacuum, 31 (10--12), 539 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель