"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика установления термоэдс горячих носителей заряда в p-n-переходе с учетом нагрева решетки
Гулямов Г.1, Дадамирзаев М.Г.1, Бойдедаев С.Р.1
1Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 12 июля 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Теоретически исследовано влияние разогрева решетки на кинетику установления термоэдс горячих носителей заряда в p-n-переходе. Показано, что разогрев решетки приводит к дополнительному третьему этапу установления термотоков и термоэдс горячих носителей со временем релаксации, определяемым теплопроводностью и теплоемкостью образца. Показано также, что третий этап более медленный, чем предыдущие два этапа, установленные А.И. Вейнгером и М.П. Саргсянсом.
  1. А.И. Вейнгер, М.П. Саргсян. ФТП, 14(12), 2366 (1980)
  2. Г. Гулямов, С.Х. Шамирзаев. ФТП, 15(9), 1858 (1981)
  3. Ф.Г. Басс, В.С. Бочков, Ю.Г. Гуревич. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках (М., Наука, 1984)
  4. Г. Гулямов, К.Б. Умаров. ФТП, 29(1), 33 (1995)
  5. Э. Конуэлл. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.