"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрические и электрические свойства поликристаллических слоев CdxHg1-xTe на подложках GaAs
Гнатюк В.А.1, Городниченко Е.С.1, Мозоль П.Е.1, Власенко А.И.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

Исследованы температурные зависимости проводимости, концентрации, подвижности электронов, а также спектры фотопроводимости и люксамперные характеристики поликристаллических слоев Cd0.8Hg0.2Te, выращенных на подложках GaAs. Обсуждаются особенности токопереноса и фотопроводимости полученных структур CdxHg1-xTe/CdTe/GaAs. Установлено, что высокая фоточувствительность при температуре 300 K и скачок люксамперной характеристики при высоких уровнях возбуждения обусловлены влиянием электрически активных межзеренных границ, создающих потенциальные барьеры для дрейфа и рекомбинации носителей заряда. В рамках барьерной модели полупроводника со случайным потенциальным рельефом показано, что при высоких уровнях возбуждения импульсами излучения рубинового или неодимового лазеров амплитуда потенциальных барьеров на границах зерен понижается из-за экранировки неравновесными носителями.
  1. А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
  2. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
  3. Б.И. Шкловский. ФТП, 7, 112 (1973)
  4. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  5. W. Beyer, H. Overhof. Semicond. Semimet., 21C, 257 (1984)
  6. Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Шредин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982)
  7. C.F. Freeman. J. Vac. Sci. Technol. B, 9(3), 1613 (1991)
  8. Б.Г. Гирич, В.М. Лакеенков. В сб.: Новости науки и техники (М., 1990) вып. 3
  9. А.Я. Шик. ЖЭТФ, 68, 1859 (1975)
  10. Г.Н. Галкин. Тр. физ. ин-та им. П.Н. Лебедева АН СССР, 128(3) (1981)
  11. В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1314 (1973)
  12. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.