Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоэлектрические и электрические свойства поликристаллических слоев Cd_xHg_1-xTe на подложках GaAs

Гнатюк В.А.¹, Городниченко Е.С.¹, Мозоль П.Е.¹, Власенко А.И.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.

Выставление онлайн: 18 февраля 2000 г.

PDF версия

Исследованы температурные зависимости проводимости, концентрации, подвижности электронов, а также спектры фотопроводимости и люксамперные характеристики поликристаллических слоев Cd_0.8Hg_0.2Te, выращенных на подложках GaAs. Обсуждаются особенности токопереноса и фотопроводимости полученных структур Cd_xHg_1-xTe/CdTe/GaAs. Установлено, что высокая фоточувствительность при температуре 300 K и скачок люксамперной характеристики при высоких уровнях возбуждения обусловлены влиянием электрически активных межзеренных границ, создающих потенциальные барьеры для дрейфа и рекомбинации носителей заряда. В рамках барьерной модели полупроводника со случайным потенциальным рельефом показано, что при высоких уровнях возбуждения импульсами излучения рубинового или неодимового лазеров амплитуда потенциальных барьеров на границах зерен понижается из-за экранировки неравновесными носителями.

А.В. Любченко, Е.А. Сальков, Ф.Ф. Сизов. Физические основы полупроводниковой инфракрасной фотоэлектроники (Киев, Наук. думка, 1984)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
Б.И. Шкловский. ФТП, 7, 112 (1973)
Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
W. Beyer, H. Overhof. Semicond. Semimet., 21C, 257 (1984)
Н.Н. Берченко, В.Е. Кревс, В.Г. Шредин. Полупроводниковые твердые растворы и их применение (М., Воениздат, 1982)
C.F. Freeman. J. Vac. Sci. Technol. B, 9(3), 1613 (1991)
Б.Г. Гирич, В.М. Лакеенков. В сб.: Новости науки и техники (М., 1990) вып. 3
А.Я. Шик. ЖЭТФ, 68, 1859 (1975)
Г.Н. Галкин. Тр. физ. ин-та им. П.Н. Лебедева АН СССР, 128(3) (1981)
В.Б. Сандомирский, А.Г. Ждан, М.А. Мессерер, И.Б. Гуляев. ФТП, 7, 1314 (1973)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель