Вышедшие номера
Экситонные молекулы, захваченные квантовыми точками и изоэлектронными примесями в многодолинных полупроводниках
Рогачев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Впервые дано теоретическое и экспериментальное рассмотрение экситонных молекул, содержащих от двух до шести экситонов, захваченных квантовыми точками или изоэлектронными примесными центрами. Существование таких экситонных молекул возможно только в многодолинных полупроводниках. Рассмотрена модель экситонной молекулы, которая справедлива в случае, когда количество долин в зоне проводимости и в валентной зоне велико. Обсуждена кинетика образования экситонных молекул. Существенной особенностью экситонных молекул, связанных на квантовых точках, является наличие туннельных переходов экситонов между квантовыми точками.