"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Экситонные молекулы, захваченные квантовыми точками и изоэлектронными примесями в многодолинных полупроводниках
Рогачев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Впервые дано теоретическое и экспериментальное рассмотрение экситонных молекул, содержащих от двух до шести экситонов, захваченных квантовыми точками или изоэлектронными примесными центрами. Существование таких экситонных молекул возможно только в многодолинных полупроводниках. Рассмотрена модель экситонной молекулы, которая справедлива в случае, когда количество долин в зоне проводимости и в валентной зоне велико. Обсуждена кинетика образования экситонных молекул. Существенной особенностью экситонных молекул, связанных на квантовых точках, является наличие туннельных переходов экситонов между квантовыми точками.
  • С.А. Москаленко. Опт. и спектр., 5, 147 (1958)
  • M.A. Lampert. Phys. Rev. Lett., 1, 450 (1958)
  • Л.В. Келдыш, Ю.В. Копаев. ФТТ, 6, 2791 (1964)
  • Л.В. Келдыш, А.Н. Козлов. ЖЭТФ, 54, 978 (1968)
  • A.A. Rogachev. In: Handbook on Semiconductors, ed. by P.T. Landsberg (Elsevier/North-Holland publ. Co., Amsterdam, 1992) vol. 1, ch. 9, p. 449
  • M.L.W. Thewalt, V.A. Karasyuk, D.A. Muler. Proc. 23-=SUP=-rd-=/SUP=- Conf. on Phys. Semicond. (Work Scientific, 1996) part I, p. 341
  • А.А. Рогачев. ФТТ, 40(5), 141 (1998)
  • P.J. Dean. In: Progress in Solid State Chemistry (Pergamon Press, N.Y., 1973) vol. 8, p. 1
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.