"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Экситонные молекулы, захваченные квантовыми точками и изоэлектронными примесями в многодолинных полупроводниках
Рогачев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

Впервые дано теоретическое и экспериментальное рассмотрение экситонных молекул, содержащих от двух до шести экситонов, захваченных квантовыми точками или изоэлектронными примесными центрами. Существование таких экситонных молекул возможно только в многодолинных полупроводниках. Рассмотрена модель экситонной молекулы, которая справедлива в случае, когда количество долин в зоне проводимости и в валентной зоне велико. Обсуждена кинетика образования экситонных молекул. Существенной особенностью экситонных молекул, связанных на квантовых точках, является наличие туннельных переходов экситонов между квантовыми точками.
  1. С.А. Москаленко. Опт. и спектр., 5, 147 (1958)
  2. M.A. Lampert. Phys. Rev. Lett., 1, 450 (1958)
  3. Л.В. Келдыш, Ю.В. Копаев. ФТТ, 6, 2791 (1964)
  4. Л.В. Келдыш, А.Н. Козлов. ЖЭТФ, 54, 978 (1968)
  5. A.A. Rogachev. In: Handbook on Semiconductors, ed. by P.T. Landsberg (Elsevier/North-Holland publ. Co., Amsterdam, 1992) vol. 1, ch. 9, p. 449
  6. M.L.W. Thewalt, V.A. Karasyuk, D.A. Muler. Proc. 23-=SUP=-rd-=/SUP=- Conf. on Phys. Semicond. (Work Scientific, 1996) part I, p. 341
  7. А.А. Рогачев. ФТТ, 40(5), 141 (1998)
  8. P.J. Dean. In: Progress in Solid State Chemistry (Pergamon Press, N.Y., 1973) vol. 8, p. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.