В оже-транзисторе, образованном гетеропереходом Al-SiO₂-n-Si с туннельно-тонким слоем окисла, исследовались высокочастотные неустойчивости S- и N-типа в коллекторном токе, возникающие при туннельной инжекции горячих электронов из металла в полупроводник. Оже-транзистор - прибор нового типа, в котором в качестве широкозонного полупроводникового эмиттера использован гетеропереход металл-диэлектрик, а база транзистора индуцируется электрическим полем в виде самосогласованного квантового колодца для дырок на поверхности кремния. Инжектированные из металла в полупроводник электроны с высокой кинетической энергией (более 1 эВ) в процессе ударной ионизации генерируют электронно-дырочные пары в области перехода база-коллектор. Это нарушает токовый баланс транзистора и приводит к появлению неустойчивостей тока S- и N-типа в коллекторных характеристиках (в схеме с общим эмиттером). Природа неустойчивостей связана с большим коэффициентом усиления тока в оже-транзисторе (alpha>1).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.