"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Высокочастотные неустойчивости тока в кремниевом оже-транзисторе
Остроумова Е.В.1, Рогачев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 марта 1999 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1999 г.

В оже-транзисторе, образованном гетеропереходом Al--SiO2--n-Si с туннельно-тонким слоем окисла, исследовались высокочастотные неустойчивости S- и N-типа в коллекторном токе, возникающие при туннельной инжекции горячих электронов из металла в полупроводник. Оже-транзистор --- прибор нового типа, в котором в качестве широкозонного полупроводникового эмиттера использован гетеропереход металл--диэлектрик, а база транзистора индуцируется электрическим полем в виде самосогласованного квантового колодца для дырок на поверхности кремния. Инжектированные из металла в полупроводник электроны с высокой кинетической энергией (более 1 эВ) в процессе ударной ионизации генерируют электронно-дырочные пары в области перехода база--коллектор. Это нарушает токовый баланс транзистора и приводит к появлению неустойчивостей тока S- и N-типа в коллекторных характеристиках (в схеме с общим эмиттером). Природа неустойчивостей связана с большим коэффициентом усиления тока в оже-транзисторе (alpha>1).
  1. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17(7), 44 (1991) [Sov. Tech. Phys. Lett., 17(7), 476 (1991)]
  2. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28(2), 1411 (1994) [Semiconductors, 28(8), 793 (1994)]
  3. H. Kroemer. In: A.G. Milns, J.J. Feucht. Heterojunctions and Metal--Semiconductor Junctions (N.Y., Academic Press, 1972)
  4. W.T. Read. Bell. Syst. Techn. J., 37, 401 (1958)
  5. E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Proc. 21st Int. Conf. on Microelectronics (MIEL'97), Sept. 14--17 1997 (Nish, Yugoslavia) v. 1, p. 227. Publish. Elect. Dev. Soc. IEEE, IEEE Catalog N 97TH8232 (1997)
  6. E.V. Ostoumova, A.A. Rogachev. In: Fundamental Aspects of Unltrathin Dielectrics on Si- Based Devices: Towards an Atomic-Scale Understanding. NATO Science Series, Kluwer Academic Publishers, Dordrecht (Boston--London, 1998) p. 383
  7. E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Microelectronics J., 29, 701 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.