"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Релаксация фотоемкости в аморфных пленках As2Se3
Васильев И.А1, Шутов С.Д.1
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
Поступила в редакцию: 15 сентября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

В релаксации фотоемкости пленок a-As2Se3 обнаружены быстрая и медленная компоненты. Они приводят к двум спектрам плотности и сечений поглощения глубоких состояний, различающихся порогами и величиной. Быстрая компонента релаксации связывается с фотоэмиссией дырки с центра D+; обсуждается возможная природа медленной компоненты.
  1. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цендина (СПб., Изд-во ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 1996)
  2. G.J. Adriaenssens. Phil. Mag. B, 62, 79 (1990)
  3. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  4. S.D. Shutov, A.A. Simashkevich. J. Non-Cryst. Sol., 176, 253 (1994)
  5. M. Kuhn. Sol. St. Electron., 13, 873 (1970)
  6. R.A. Street. Phys. Rev. B, 17, 3984 (1978)
  7. G.J. Adriaenssens, M. Hammam, H. Michiel, J.M. Marshall. Sol. St. Commun., 45, 465 (1983)
  8. S.G. Bishop, U. Strom, P.C. Taylor. Phys. Rev. B, 15, 2278 (1977)
  9. J. Tauc, A. Menth. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 569 (1972)
  10. D. Monroe, M.A. Kastner. Physica of Disordered Materials (N.Y.--London, 1985) p. 553
  11. J.A. Freitas, Jr., U. Strom, S.G. Bishop. Phys. Rev. B, 35, 7780 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.