Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Самоорганизующиеся наноразмерные кластеры InP в матрице InGaP/GaAs и InAs в матрице InGaAs/InP

Винокуров Д.А.¹, Капитонов В.А.¹, Коваленков О.В.¹, Лившиц Д.А.¹, Соколова З.Н.¹, Тарасов И.С.¹, Алфёров Ж.И.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 22 января 1999 г.

Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

PDF версия

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получены массивы напряженных наноразмерных кластеров двух типов: InP в матрице In_0.49Ga_0.51P на подложке GaAs (100) и InAs в матрице In_0.53Ga_0.47As на подложке InP (100). Проведено исследование их структурных и фотолюминесцентных свойств. Показано, что образующиеся наноразмерные кластеры имеют размеры 80 нм (InP/InGaP) и 25/60 нм (InAs/InGaAs). В спектрах фотолюминесценции полученных наноразмерных кластеров наблюдались полосы в диапазонах длин волн 0.66/0.72 и 1.66/1.91 мкм при 77 K, положение максимума которых не изменялось с увеличением эффективной толщины InP и InAs. Эффективность излучения наноразмерных кластеров InP на 2 порядка превосходила интенсивность излучения кластеров InAs.

Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Д. Бимберг. ФТП, 32, 385 (1998)
O.V. Kovalenkov, D.A. Vinokurov, D.A. Livshits, I.S. Tarasov, N.A. Bert, S.G. Konnikov, Zh.I. Alferov. Proc. 23rd Int. Symp. Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) [Inst. Phys. Conf. Ser., N 155, Ch. 3, p. 271]
Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, О.В. Коваленков, Д.А. Лившиц, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 24(16), 1 (1998)
W. Seifert, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson. Appl. Phys. Lett., 75, 2968 (1995)
O.V. Kovalenkov, I.S. Tarasov, D.A. Vinokurov, V.A. Kapitonov. Abstracts Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, 1998) p. 268
В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ф. Цацульников, А.Ю. Егоров, А.Р. Ковш, М.В. Максимов, А.А. Суворова, Н.А. Берт, П.С. Копьев. ФТП, 31, 1256 (1997)
В.М. Устинов, А.Р. Ковш, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, Н.Н. Леденцов, А.В. Лунев, Ю.М. Шерняков, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Б.В. Воловик, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров. Письма ЖТФ, 24, 49 (1998)
M. Taskinen, M. Sopanen, H. Lipsanen, J. Tulkki, T. Tuomi, J. Ahopelto. Surf. Sci., 376, 60 (1997)
S. Adachi. Physical Properties of III--V Semiconductor Compounds (John Wiley \& Sons Inc., 1992)
V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель