"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изменение концентрации U--центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Se--As при легировании металлами и галогенами
Казакова Л.П.1, Цэндин К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Исследованы температурные зависимости дрейфовой подвижности электронов и дырок в халькогенидном стеклообразном полупроводнике состава Se95As5 без примесей и с примесями Ag и Br. Полученные данные указывают на то, что локализованными состояниями, контролирующими перенос носителей заряда, являются U--центры и изменение величины дрейфовой подвижности при легировании обусловлено изменениями концентрации этих центров. Проведенная оценка концентраций положительно и отрицательно заряженных собственных дефектов показала, что их значения близки и составляют ~1016 см-3 в стеклах состава Se95As5 без примесей и изменяются в интервале 1013/1017 см-3 при легировании Ag, Br и Cl. Установлено, что наиболее сильно (на 2/3 порядка) изменяют концентрацию U--центров примеси галогенов. Анализ полученных данных показал, что количество электрически активных атомов примесей Br и Cl в Se95As5 составляет 1%, а примеси Ag --- 10-2%.
  1. P.W. Anderson. Phys. Rev. Lett., 37, 953 (1975)
  2. R.A. Street. N.F. Mott. Phys. Rev. Lett., 35, 1293 (1975)
  3. N.F. Mott, E.A. Davis, R.A. Street. Phil. Mag. B, 32, 961 (1975)
  4. M. Kastner, D. Adler, H. Fritzsche. Phys. Rev. Lett., 37, 1504 (1976)
  5. H. Fritzsche, M. Kastner. Phil. Mag. B, 37, 285 (1978)
  6. Н.Ф. Мотт, Э.А. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982)
  7. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996)
  8. B.P. Popov, K.D. Tsendin. Techn. Phys. Lett., 24, 265 (1998)
  9. A.S. Alexandrov, J. Ranninger. Phys. Rev. B, 23, 1726 (1981)
  10. N.F. Mott. Physica C, 205, 191 (1993)
  11. B.K. Chakraverty, J. Ranninger, D. Feinberg. Phys. Rev. Lett., 81, 433 (1998)
  12. A.S. Alexandrov. Phys. Rev. B, 53, 2863 (1996)
  13. E. Montrimas, A. Pazera, J. Viscakas. Phys. St. Sol. (a), 3, K199 (1970)
  14. F.D. Fisher, J.M. Marshall, A.E. Owen. Phil. Mag. B, 33, 261 (1976)
  15. E.A. Lebedev, L. Toth, L.N. Karpova. Sol. St. Commun., 36, 139 (1980)
  16. Э.А. Лебедев, Л.П. Казакова. В кн.: Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках, под ред. К.Д. Цэндина (СПб., Наука, 1996) гл. 4, с. 171
  17. W.E. Spear. J. Non-Cryst. Sol., 1, 197 (1969)
  18. А. Роуз. Основы теории фотопроводимости (М., Мир, 1969) с. 140
  19. Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев. ФТП, 32, 803 (1998)
  20. G. Pfister, M. Morgan. Phil. Mag. B, 41, 209 (1980)
  21. В.Л. Аверьянов, Л.П. Казакова, С.С. Лантратова, Э.А. Лебедев, О.Ю. Приходько. ФТП, 17, 928 (1983)
  22. Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Н.Б. Захарова, И.И. Ятлинко. ФТП, 27, 959 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.