Напыление аморфного затравочного слоя ZnTe толщиной 10 нм с его последующей твердофазной кристаллизацией было использовано перед началом молекулярно-пучковой эпитаксии слоев ZnTe на подложках GaAs (100). Картины дифракции отраженных быстрых электронов от ростовой поверхности образцов во время эпитаксии подтверждают, что при этом удалось избежать образования трехмерных зародышей и достигнуть двухмерного роста на ранней стадии эпитаксии. Проведенные исследования катодолюминесценции и рентгено-структурный анализ свидетельствуют о более высоком качестве слоев ZnTe, выращенных с применением аморфного затравочного слоя. Исследовано влияние соотношения потоков исходных элементов на катодолюминесценцию слоев ZnTe. Оптимизация режимов эпитаксии позволила вырастить квантово-размерные структуры ZnCdTe/ZnTe, эффективно излучающие в зеленой области спектра.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.