"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение и исследование гетеропереходов AgIn5S8 / (InSe, GaSe)
Боднарь И.В.1, Гременок В.Ф.2, Рудь В.Ю.3, Рудь Ю.В.4
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.

Показана возможность создания фоточувствительных гетеропереходов AgIn5S8 / (InSe, GaSe), в которых использованы объемные кристаллы, выращенные из расплава и газовой фазы, а также тонкие поликристаллические пленки тройного соединения, полученные методом импульсного лазерного испарения. Исследованы спектральные зависимости фоточувствительности гетеропереходов в зависимости от геометрии фоторегистрации. Сделан вывод о перспективе применения полученных структур в качестве широкополосных и селективных фотодетекторов.
  1. H.W. Schock. Photovolt. Solar Energy Conf. and Exhibition, Amsterdam (H.S. Stephen Assoc, Bedfond, UK, 1994) p. 944
  2. T. Negami. Abstructs 5th Int. Conf. POLYSE'98 (Schwabisch Gmund, Germany, 1998) p. 18
  3. T. Walter, D. Braunger, H. Dittrich, Ch. Koble, R. Herberholz, H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 41/42, 355 (1996)
  4. D. Schmid, M. Ruck, H.W. Schock. Sol. Energy Mater. and Solar Cells, 41/42, 281 (1996)
  5. V.Yu. Rud', Yu.V. Rud', T. Walter, H.W. Schock. Inst. Phys. Conf. Ser., 152, 971 (1998)
  6. A.N. Tiwari, S. Blunier, M. Filzmoser, H. Zogg, D. Schmid, H.W. Schock. Appl. Phys. Lett., 65, 3347 (1994)
  7. K. Wakamura, S. Endo, T. Irie. Cryst. Res. Technol., 31-S2, 923 (1996)
  8. Н.С. Орлова, И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая. Неорг. матер., 34, 13 (1998)
  9. V.F. Gremenok, E.P. Zaretskaya, I.V. Bodnar, I.V. Victorov. Cryst. Res. Technol., 31-S2, 485 (1996)
  10. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1975)
  11. I.V. Bodnar, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. Cryst. Res. Technol., 31-S1, 261 (1996)
  12. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y., Willey--Interscience Publ., 1981)
  13. H.M. Мехтиев, Ю.В. Рудь, Э.Ю. Салаев. ФТП, 12, 924 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.