Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Распределение электрического поля в высокоомных полупроводниковых МПМ структурах, освещаемых немонохроматическим светом
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 17 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1999 г.
Теоретически исследована чувствительность распределения электрического поля к спектру падающего излучения в высокоомных, сильно смещенных полупроводниковых структурах металл-полупроводник-металл, освещаемых немонохроматическим светом. Показано, что при наличии глубоких примесных уровней распределение поля сильно зависит от спектрального состава падающего света. Обнаружено, что интервал частот, соответствующий оптическим толщинам порядка 1, даже при весьма незначительной доле энергии в этой области спектра по сравнению с полным потоком, существенно влияет на объемный заряд в глубине структуры и на распределение электрического поля E(x). Захват дырок на глубокий примесный уровень внутри структуры образует положительный объемный заряд и приводит к качественно новым распределениям поля, растущим вблизи темнового электрода с положительной кривизной зависимости E(x). Захват на примесь электронов вблизи освещаемого анода создает отрицательный объемный заряд примесных уровней. Это порождает значительный рост поля в приэлектродном слое и образует в окрестности анода область слабого изменения поля. Все обнаруженные в расчетах особенности распределений электрического поля наблюдаются в эксперименте.
- М.П. Петров, С.И. Степанов, А.В. Хоменко. Фоточувствительные электрооптические среды в голографии и оптической обработке информации (Л., Наука, 1983)
- И.Т. Овчинников, Э.В. Яншин. Письма ЖТФ, 8, (6), 355 (1982)
- В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, В.И. Марахонов, А.В. Хоменко. Письма ЖТФ, 9, (7), 385 (1983)
- В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. ФТТ, 24, 108 (1982)
- Н. Мотт, Р. Герни. Электронные процессы в ионных кристаллах (М., ИЛ, 1950)
- В.В. Брыксин, Л.И. Коровин, Ю.К. Кузьмин. ФТТ, 28, 2728 (1986)
- В.Н. Астратов, А.В. Ильинский. Препринт N 1091 (Л., ФТИ, 1986)
- В.Н. Климова. Микроэлектроника, 10, (5), 457 (1981)
- Е.Н. Аркадьева, Л.В. Маслова, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев, С.М. Рывкин, А.Х. Хусаинов. ДАН СССР, 221, 77 (1975)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, Ю.Н. Перепелицин, Ю.О. Семенов, И.Д. Ярошецкий. Электросвязь, N 10, 37 (1990)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, А.А. Томасов. ФТП, 29, 2092 (1995)
- А.В. Кичаев. Исследование перестройки электрического поля в высокоомных полупроводниковых структурах. Канд. дис. (СПб., ФТИ РАН, 1995)
- П.Г. Кашерининов, А.В. Кичаев, И.Д. Ярошецкий. ЖТФ, 65, вып. 9, 193 (1995)
- П.Г. Кашерининов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 26, 1480 (1992)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 2189 (1995)
- Б.И. Резников. ФТП, 30, 1497 (1996)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 28, 1788 (1994)
- Б.И. Резников, Г.В. Царенков. ФТП, 29, 1430 (1995)
- Б.И. Резников. ФТТ, 39, 1775 (1997)
- A.E. Iverson, D.L. Smith. IEEE Trans. Electron. Dev, ED-34, 2098 (1987)
- Н.А. Кудряшов, С.С. Кучеренко, Ю.И. Сыцько. Мат. моделирование, 1 (12), 1 (1989)
- Б.И. Резников. ФТП, 31, 1003 (1997)
- С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1971)
- Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. Физика соединений AIIBVI (М., Наука, 1986) с. 246
- Б.М. Морозов, Ю.Б. Болховитинов, Р.С. Габараев, А.Ф. Кравченко, В.И. Юдаев. ФТП, 14, 1486 (1980)
- Kenneth Zanio. Semiconductors and semimetals, v. 13: Cadmium Telluride (Academic Press, N.Y., San Francisco, London, 1978)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
