Теоретически исследована чувствительность распределения электрического поля к спектру падающего излучения в высокоомных, сильно смещенных полупроводниковых структурах металл-полупроводник-металл, освещаемых немонохроматическим светом. Показано, что при наличии глубоких примесных уровней распределение поля сильно зависит от спектрального состава падающего света. Обнаружено, что интервал частот, соответствующий оптическим толщинам порядка 1, даже при весьма незначительной доле энергии в этой области спектра по сравнению с полным потоком, существенно влияет на объемный заряд в глубине структуры и на распределение электрического поля E(x). Захват дырок на глубокий примесный уровень внутри структуры образует положительный объемный заряд и приводит к качественно новым распределениям поля, растущим вблизи темнового электрода с положительной кривизной зависимости E(x). Захват на примесь электронов вблизи освещаемого анода создает отрицательный объемный заряд примесных уровней. Это порождает значительный рост поля в приэлектродном слое и образует в окрестности анода область слабого изменения поля. Все обнаруженные в расчетах особенности распределений электрического поля наблюдаются в эксперименте.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.