"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проблема селективного легирования в методе гидридной эпитаксии и электрофизические свойства квантово-размерных гетероструктур Ge / GeSi : B
Орлов Л.К.1, Рубцова Р.А.1, Орлова Н.Л.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1999 г.

В зависимости от параметров структуры изучены транспортные свойства различных групп носителей заряда в проводящих каналах периодической гетеросистемы Ge-Ge1-xSix, выращиваемой гидридным методом на германии. Полученные результаты использованы для обсуждения проблемы селективного легирования слоев нанометровой толщины при использовании этого метода.
  1. T.C. Chen, E. Ganin, H. Stark et al. IEEE TED, 38, 941 (1991)
  2. A. Gruhle, A. Schuppen. Thin Sol. Films, 294, 246 (1997)
  3. V.I. Kuznetsov, K. Werner, S. Redelaar, J.W. Metselaar. Thin Sol. Films, 294, 263 (1997)
  4. Y.H. Xie, E.A. Fitzgerald, D. Monroe, P.J. Silverman, G.P. Watson. J. Appl. Phys., 73, 8364 (1993)
  5. B.A. Aronzon, N.K. Chumakov, J. Leotin, J. Galiber, L. Essaleh, A.L. Chernov, O.A. Kuznetsov, L.K. Orlov, R.A. Rubtsova, O.A. Mironov. Superlat. Microstr., 13, 159 (1993)
  6. Ю.Г. Арапов, Н.А. Городилов, О.А. Кузнецов, В.Н. Неверов, Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, Г.И. Харус, А.Л. Чернов, Н.Г. Шелушинина, Г.Л. Штрапенин. ФТП, 27, 1165 (1993)
  7. Л.К. Орлов, Ж. Леотен, Фу Хуа Янг, Н.Л. Орлова. ФТТ, 39, 2096 (1997)
  8. L.E. Vorob'ev, L.E. Golub, D.V. Donetskii, E.A. Zibik, Yu.V. Kochegarov, D.A. Firsov, V.A. Schalygin, V.Ya. Aleshkin, O.A. Kuznetsov, L.K. Orlov, E. Towe, I.I. Saydashev, T.S. Cheng, C.T. Foxon. Proc. 23rd Int. Symp. on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) (1997) p. 153
  9. V.Ya. Aleshkin, A.A. Andronov, A.V. Antonov, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, O.A. Kuznetsov, E.R. Lin'kova, I.G. Malkina, M. Moldavskaya, D.G. Revin, E.A. Uskova, B.N. Zvonkov. Proc. 23rd Int. Symposium on Compound Semicond. (St. Petersburg, 1996) (1997) p. 61.!! vadjust !!
  10. M.G. Mil'vidskii, V.I. Vdovin, L.K. Orlov, O.A. Kuznetsov, V.M. Vorotynsev. Growth of Crystals, ed., by E.I. Givargizov and A.M. Melnikova (Consultants Bureau, N. Y.--London, 1996) v. 20, p. 13
  11. Л.К. Орлов, Р.А. Рубцова, Н.Л. Орлова, В.И. Вдовин. Труды совещания по системе Si--Ge (Нижний Новгород, ИФМ РАН, 1998) с. 127
  12. L.K. Orlov, V.Ya. Aleshkin, N.G. Kalugin, N.A. Bekin, O.A. Kuznetsov, B. Dietrich, G. Bacquet, J. Leotin, M. Brousseau, F. Hassen. J. Appl. Phys., 80, 415 (1996)
  13. В.И. Фистуль. Сильно легированные полупроводники. (М., Наука, 1967) с. 116, 97
  14. В.Л. Бонч-Бруевич. С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990) с. 491, 671
  15. Н.А. Агаев, Г.Х. Аждаров. Труды совещания "Исследование и применение твердых растворов германий--кремний" (Баку--Элм, 1990) с. 56
  16. О.А. Голикова, Б.Я. Мойжес, М.С. Стильбанс. ФТТ, 3, 3105 (1961)
  17. L.K. Orlov, A.V. Potapov, R.A. Rubtsova, Yu.G. Arapov, N.A. Gorodilov, N.G. Shelushinina, Fu Hua Yang, J. Leotin, M. Goiran. Thin Sol. Films, 294, 208 (1997)
  18. V.Ya. Aleshkin, N.A. Bekin, I.V. Erofeeva, V.I. Gavrilenko, Z.F. Krasil'nik, O.A. Kuznetsov, M.D. Moldavskaya, V.V. Nikonorov, V.M. Tsvetkov. Lithuanian Phys. J., 35, 368 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.